恭喜苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司王俊获国家专利权
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龙图腾网恭喜苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司申请的专利半导体光子晶体发光结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119581993B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510134531.8，技术领域涉及：H01S5/028；该发明授权半导体光子晶体发光结构及其制备方法是由王俊;罗晨;肖垚;李顺峰;李刘晶;李泉灵;闵大勇;邓国亮;周昊设计研发完成，并于2025-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体光子晶体发光结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体光子晶体发光结构及其制备方法，半导体光子晶体发光结构包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层一侧的有源层；位于所述有源层背离所述半导体衬底层一侧的光子晶体层，所述光子晶体层包括第一半导体层、第二半导体层和保护层，所述第一半导体层中具有凹槽，所述凹槽自所述第一半导体层背离所述有源层的一侧表面延伸至所述第一半导体层中，所述保护层位于所述凹槽的内壁表面，所述第二半导体层位于相邻的凹槽之间的所述第一半导体层背离所述有源层的一侧表面且未延伸至所述凹槽中。半导体光子晶体发光结构的光场模式调控能力提高。
本发明授权半导体光子晶体发光结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体光子晶体发光结构，其特征在于，包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层一侧的有源层；位于所述有源层背离所述半导体衬底层一侧的光子晶体层，所述光子晶体层包括第一半导体层、第二半导体层和钝化保护层，所述第一半导体层中具有凹槽，所述凹槽自所述第一半导体层背离所述有源层的一侧表面延伸至所述第一半导体层中，所述钝化保护层位于所述凹槽的内壁，所述第二半导体层位于相邻的凹槽之间的所述第一半导体层背离所述有源层的一侧表面且未延伸至所述凹槽中；还包括位于所述凹槽内壁的半导体保护层，其中，所述钝化保护层位于所述半导体保护层背离第一半导体层的一侧。
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