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龙图腾网恭喜西安交通大学申请的专利液相法生长碳化硅中碳浓度边界层获取方法、装置和产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119249756B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411431451.0，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权液相法生长碳化硅中碳浓度边界层获取方法、装置和产品是由李早阳;杨垚;祁超;钟泽琪;祁冲冲;孙育康;罗金平;刘立军设计研发完成，并于2024-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本液相法生长碳化硅中碳浓度边界层获取方法、装置和产品在说明书摘要公布了：本申请提供了一种液相法生长碳化硅中碳浓度边界层获取方法、装置和产品，涉及单晶生长技术领域，包括：根据液相法生长碳化硅系统的结构信息，建立几何模型，进行计算网格划分；基于构建的数值计算模型，得到多组模拟结果；根据每组模拟结果中各计算网格处的碳浓度值，确定每列计算网格的碳浓度边界层厚度与离心距离之间的第一关系函数，离心距离是指该列计算网格与固液界面的中心轴之间的垂直距离；根据第一关系函数，确定电磁感应加热频率、碳浓度边界层厚度与离心距离之间的第二关系函数；从第二关系函数中确定目标碳浓度边界层的分布情况，根据目标碳浓度边界层的分布情况对液相法生长碳化硅系统的结构进行优化。

本发明授权液相法生长碳化硅中碳浓度边界层获取方法、装置和产品在权利要求书中公布了：1.一种液相法生长碳化硅中碳浓度边界层获取方法，其特征在于，所述方法包括：根据液相法生长碳化硅系统的结构信息，建立几何模型，进行计算网格划分；设置所述几何模型中对应计算网格的边界条件，设置电磁感应控制方程、传热流动控制方程和组分输运控制方程，得到数值计算模型；基于所述数值计算模型，模拟多个不同电磁感应加热频率下的电磁感应加热过程、传热流动过程与组分输运过程，得到多组模拟结果；根据每组所述模拟结果中硅熔体的各个计算网格处的碳浓度值，确定对应电磁感应加热频率下，固液界面硅熔体一侧的每列计算网格的碳浓度边界层厚度与离心距离之间的第一关系函数，所述离心距离是指该列计算网格与固液界面的中心轴之间的垂直距离；根据多条所述第一关系函数，确定电磁感应加热频率、碳浓度边界层厚度与离心距离之间的第二关系函数；从所述第二关系函数中确定目标碳浓度边界层的分布情况，根据所述目标碳浓度边界层的分布情况对所述液相法生长碳化硅系统的结构进行优化；其中，根据每组所述模拟结果中硅熔体的各个计算网格处的碳浓度值，确定对应电磁感应加热频率下，固液界面硅熔体一侧的每列计算网格的碳浓度边界层厚度与离心距离之间的第一关系函数，包括：根据每组所述模拟结果，确定硅熔体的各个计算网格处的碳浓度值；根据所述碳浓度值，计算各个计算网格的过饱和度；对于每一列计算网格，确定过饱和度最大值处的计算网格与固液界面之间的距离为该列计算网格的离心距离所对应的碳浓度边界层厚度；根据所述碳浓度边界层厚度与离心距离之间的对应关系，得到所述第一关系函数。

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