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龙图腾网获悉晶能光电股份有限公司申请的专利一种微显示器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118676131B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411164000.5，技术领域涉及：H01L25/16；该发明授权一种微显示器件及其制备方法是由杨杰;金力;赖奕彬;江雪琴设计研发完成，并于2024-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种微显示器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种微显示器件及其制备方法，微显示器件中包括：驱动电路板，驱动电路板表面形成有芯片区域，芯片区域包括用于键合半导体结构单元的键合区域及位于键合区域周围的线路区域，键合区域周边形成有区域标志，且键合区域内形成有驱动电极；通过键合层键合于驱动电极表面的发光阵列，发光阵列由被键合于键合区域的半导体结构单元像素化制备形成；半导体结构单元由生长衬底表面形成的外延结构切割而成，与驱动电路板上的键合区域尺寸相匹配，靠近键合层一侧的表面还形成有P电极层。不仅能有效提高外延结构的利用率；还有利于实现在低对准精度键合的基础上制备高分辨率的发光阵列。

本发明授权一种微显示器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种微显示器件制备方法，其特征在于，包括：提供生长衬底，在所述生长衬底上形成外延结构，并在所述外延结构表面除切割道以外的区域沉积P电极层和第一键合层；沿切割道对外延结构和生长衬底进行切割，形成半导体结构单元；提供驱动晶圆，驱动晶圆表面阵列排布有多个芯片区域，所述芯片区域包括用于键合半导体结构单元的键合区域及位于所述键合区域周围的线路区域，且键合区域内形成有驱动电极线路区域；于所述键合区域沉积第二键合层，并于键合区域的外围形成区域标志；区域标志形成于键合区域的边缘、围绕键合区域设置，用于判断半导体结构单元键合的位置是否偏离键合区域；区域标志具有相对于驱动电路板表面不同的形貌特征；半导体结构单元中P电极层和第一键合层的面积大于驱动电路板上键合区域内的驱动电极的面积；基于所述区域标志将所述半导体结构单元依次转移到对应的键合区域表面，并键合于所述键合区域内的驱动电极表面；一驱动电路板的芯片区域表面键合一半导体结构单元；去除各半导体结构单元的生长衬底；于各半导体结构单元表面形成发光阵列，完成微显示器件的制备；所述发光阵列由被键合于键合区域的半导体结构单元像素化制备形成，所述像素化的工艺在键合之后进行。

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