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龙图腾网恭喜甬矽电子(宁波)股份有限公司申请的专利半导体封装方法和半导体封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115117001B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210779030.1，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权半导体封装方法和半导体封装结构是由王承杰;林金涛设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体封装方法和半导体封装结构在说明书摘要公布了：本申请提供的半导体封装方法和半导体封装结构，涉及半导体封装技术领域。该方法包括提供第一衬底；在第一衬底上贴装第一电子器件，形成第一封装组件；第一电子器件远离第一衬底的一侧设有第一导电胶膜；提供第二衬底；在第二衬底上贴装第二电子器件，形成第二封装组件；第二衬底和或第二电子器件上设有第一导电凸点；翻转第二封装组件并贴装于第一封装组件；第一导电凸点电连接第一导电胶膜，以使第一导电胶膜电连接第二电子器件与第二衬底，和或，第一导电胶膜电连接第二衬底上的至少两个第二电子器件。通过设置导电胶膜能实现相邻电子器件的电连接或者实现衬底与电子器件的连接，减少布线层数量，电连接可靠，提高封装质量和效率。

本发明授权半导体封装方法和半导体封装结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装方法，其特征在于，包括：提供第一衬底；在所述第一衬底上贴装第一电子器件，形成第一封装组件；其中，所述第一电子器件设有焊盘；所述第一电子器件远离所述焊盘的一侧贴设导电胶层，在所述导电胶层上形成导电轨迹线路，以形成第一导电胶膜；所述第一衬底和或所述第一电子器件上设有第二导电凸点；提供第二衬底；在所述第二衬底上贴装第二电子器件，形成第二封装组件；其中，所述第二衬底和或所述第二电子器件上设有第一导电凸点；所述第二电子器件远离所述第二衬底的一侧设有导电胶层，在所述导电胶层上形成导电轨迹线路，以形成第二导电胶膜；翻转所述第二封装组件并贴装于所述第一封装组件；其中，所述第一导电凸点电连接所述第一导电胶膜，以使所述第一导电胶膜电连接所述第二电子器件与所述第二衬底，和或，所述第一导电胶膜电连接所述第二衬底上的至少两个所述第二电子器件；所述第二导电凸点电连接所述第二导电胶膜；所述第二导电胶膜电连接所述第一电子器件与所述第一衬底，和或，所述第二导电胶膜电连接所述第一衬底上的至少两个所述第一电子器件。

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