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龙图腾网恭喜浙江中科尚弘离子装备工程有限公司申请的专利一种柔性GaSb薄膜制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114944327B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210581394.9，技术领域涉及：H01L21/265；该发明授权一种柔性GaSb薄膜制备方法是由林家杰;刘仁杰;李烨;苏凯设计研发完成，并于2022-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种柔性GaSb薄膜制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了柔性GaSb薄膜制备方法，其技术方案要点是：柔性GaSb薄膜制备方法，包括如下步骤：步骤1：GaSb晶圆端面注入Al离子；步骤2：GaSb晶圆端部注入O离子，O离子与Al离子深度一致；步骤3：GaSb晶圆侧壁注入Al离子；步骤4：GaSb晶圆注入Al离子一侧侧壁位置注入O离子，O离子与步骤3所注入的Al离子位置一致；步骤5：将GaSb晶圆通过退火炉高温退火；步骤6：将柔性基底粘附在GaSb晶圆的离子注入面；步骤7：将GaSb晶圆表层撕下，由在GaSb晶圆侧壁注入Al离子及O离子位置作为起始点撕裂，形成GaSb薄膜。本发明实现在GaSb晶圆内部及侧壁位置形成一层氧化脆性层，并以侧壁位置的氧化脆性层为撕扯开裂的发起点，将GaSb薄膜从GaSb晶圆撕下，完成制备GaSb薄膜。

本发明授权一种柔性GaSb薄膜制备方法在权利要求书中公布了：1.一种柔性GaSb薄膜制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在GaSb晶圆上注入Al离子，Al离子由GaSb晶圆端面位置进入；步骤2：在GaSb晶圆上注入O离子，O离子由GaSb晶圆端面位置进入，且注入的O离子与Al离子深度一致；步骤3：在GaSb晶圆侧壁位置注入Al离子，Al位于GaSb晶圆一侧边沿位置；步骤4：在GaSb晶圆注入Al离子一侧侧壁位置注入O离子，O离子与步骤3所注入的Al离子位置一致；步骤5：将GaSb晶圆放入退火炉内进行高温退火，完成后，静置降温至室温，GaSb晶圆注入有Al离子及O离子位置经高温退后，氧化形成氧化脆性层；步骤6：将柔性基底粘附在GaSb晶圆的相应离子注入面位置；步骤7：待柔性基底粘附牢固后，将靠近于贴附于柔性基底位置的GaSb晶圆表层撕下，由在GaSb晶圆侧壁注入Al离子及O离子位置作为起始点开始撕裂，并形成GaSb薄膜。

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