恭喜甬矽半导体(宁波)有限公司白胜清获国家专利权
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龙图腾网恭喜甬矽半导体(宁波)有限公司申请的专利扇出型双面封装结构和扇出型双面封装结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823557B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210358763.8，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权扇出型双面封装结构和扇出型双面封装结构的制备方法是由白胜清;王森民设计研发完成，并于2022-04-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本扇出型双面封装结构和扇出型双面封装结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种扇出型双面封装结构和扇出型双面封装结构的制备方法，涉及半导体封装技术领域，通过在第一载片上设置第一芯片，在第二载片上设置第二芯片，第一载片和第二载片相互贴合，从而实现了双面封装。并且，通过第一载片和第二载片的双面封装结构，能够实现良好的支撑性，并且第一塑封体和第二塑封体分别制作，能够解决应力分散问题，进一步减缓塑封翘曲问题。此外，通过在第一天线凹槽内的第二载片上设置第一天线结构，使得第一天线结构能够通过第一天线凹槽直接外露，保证了天线性能，并且第一天线结构直接设置在第二载片上，结构简单，避免了中间布线影响天线的性能。
本发明授权扇出型双面封装结构和扇出型双面封装结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种扇出型双面封装结构，其特征在于，包括：第一载片；设置在所述第一载片的一侧表面的第一芯片；设置在所述第一载片一侧表面，并包覆在所述第一芯片外的第一塑封体；贴合在所述第一载片另一侧表面的第二载片，且所述第一塑封体和第一载片上设置有贯通至所述第二载片的过渡凹槽；设置在所述过渡凹槽中的第二塑封体；贴装在所述第二载片远离所述第一载片一侧表面的第二芯片；设置在所述第二载片远离所述第一载片一侧表面，并包覆在所述第二芯片外的第三塑封体；以及，设置在所述第三塑封体远离所述第二载片一侧表面的扇出布线层；其中，所述第二塑封体上设置有贯通至所述第二载片的第一天线凹槽，所述第一天线凹槽与所述第一芯片间隔设置，且所述第一天线凹槽内的所述第二载片上设置有第一天线结构。
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