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龙图腾网恭喜深圳市汇芯通信技术有限公司申请的专利功率半导体器件及其制备方法和射频功率放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496812B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111682546.6，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权功率半导体器件及其制备方法和射频功率放大器是由李海滨;许明伟;樊晓兵设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体器件及其制备方法和射频功率放大器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种功率半导体器件及其制备方法和射频功率放大器，其中，功率半导体器件包括半导体衬底、介质钝化层、输入极金属层、输出极金属层、接地极金属层，以及具有输入电极、输出电极和接地电极的器件结构层；器件结构层覆盖于半导体衬底的正面上；介质钝化层覆盖于器件结构层背向半导体衬底的一侧表面上；接地极金属层覆盖于介质钝化层背向器件结构层的一侧表面上且接地极金属层与接地电极电连接；输入极金属层覆盖于半导体衬底的第一区域上且输入极金属层与输入电极电连接；输出极金属层覆盖于半导体衬底的第二区域上且输出极金属层与输出电极电连接；半导体衬底的设定区域裸露设置。本发明公开的功率半导体器件具有散热性能好的优点。

本发明授权功率半导体器件及其制备方法和射频功率放大器在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在半导体衬底的正面上制作器件结构层；其中，所述器件结构层含有输入电极、输出电极和接地电极，且所述器件结构层覆盖所述半导体衬底的正面；在所述器件结构层上制作介质钝化层；其中，所述介质钝化层覆盖所述器件结构层背向所述半导体衬底的一侧表面；在所述介质钝化层背向所述器件结构层的一侧表面制作对应所述接地电极的接地极开孔；其中，所述接地极开孔贯穿所述介质钝化层并显露出所述接地电极；在所述介质钝化层上制作接地极金属层；其中，所述接地极金属层覆盖所述介质钝化层背向所述器件结构层的一侧表面，且所述接地极金属层填充所述接地极开孔后与所述接地电极相连接；自所述半导体衬底的背面对所述半导体衬底进行减薄；其中，减薄后的所述半导体衬底的厚度大于所述介质钝化层的厚度；在经过减薄后的所述半导体衬底的背面制作对应所述输入电极的输入极开孔以及对应所述输出电极的输出极开孔；其中，所述输入极开孔贯穿所述半导体衬底并显露出所述输入电极，所述输出极开孔贯穿所述半导体衬底并显露出所述输出电极；在所述半导体衬底的背面上制作金属覆盖层；其中，所述金属覆盖层覆盖所述半导体衬底的背面，且所述金属覆盖层填充所述输入极开孔后与所述输入电极相连接、填充所述输出极开孔后与所述输出电极相连接；去除设定区域内的部分所述金属覆盖层，以在所述半导体衬底的背面上形成与所述输入电极相连接的输入极金属层以及与所述输出电极相连接的输出极金属层，并使得在所述设定区域内显露出所述半导体衬底的背面。

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