买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体存储器装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113972211B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110836595.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体存储器装置及其制造方法是由崔民洙;李明东;张贤禹;金根楠;申树浩;黄有商设计研发完成，并于2021-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储器装置及其制造方法在说明书摘要公布了：公开了一种半导体存储器装置及其制造方法。该装置包括：衬底，其包括具有掺杂区的有源图案；栅电极，其与掺杂区之间的有源图案交叉；位线，其与有源图案交叉并且电连接到掺杂区中的一个；间隔件，其在位线的侧表面上；第一接触件，其耦接到掺杂区中的另一个并且与位线间隔开，间隔件插入在第一接触件和位线之间；着陆焊盘，其在第一接触件上；以及数据存储元件，其在着陆焊盘上。掺杂区中的所述另一个具有顶表面、上侧表面、以及从顶表面延伸至上侧表面的弯曲的顶表面。第一接触件与弯曲的顶表面和上侧表面接触。

本发明授权半导体存储器装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，包括：衬底，其包括第一有源图案，所述第一有源图案包括第一源极漏极区和第二源极漏极区；栅电极，其与所述第一有源图案交叉，在第一方向上延伸，并且与所述第一源极漏极区和所述第二源极漏极区之间的区域交叉；位线，其与所述第一有源图案交叉并在第二方向上延伸，所述位线电连接到所述第一源极漏极区；间隔件，其在所述位线的侧表面上；第一接触件，其耦接到所述第二源极漏极区，并且利用插入在所述第一接触件和所述位线之间的间隔件与所述位线间隔开；着陆焊盘，其在所述第一接触件上；以及数据储存元件，其在所述着陆焊盘上，其中，所述第二源极漏极区具有顶表面、上侧表面、以及从所述顶表面延伸到所述上侧表面的弯曲的顶表面，其中，所述第一接触件与所述弯曲的顶表面和所述上侧表面接触，其中，所述第一有源图案还包括第三源极漏极区，其中，所述第一源极漏极区在所述第二源极漏极区与所述第三源极漏极区之间，其中，所述半导体存储器装置还包括耦接至所述第三源极漏极区的第二接触件，其中，所述第二接触件与所述第三源极漏极区的弯曲的顶表面和上侧表面接触，其中，所述第二源极漏极区的弯曲的顶表面的最低水平高度位于第一水平高度，其中，所述第三源极漏极区的弯曲的顶表面的最低水平高度位于第二水平高度，其中，所述第一接触件的最低水平高度位于第三水平高度，其中，所述第二接触件的最低水平高度位于第四水平高度，并且其中，所述第一水平高度与所述第二水平高度之间的差大于所述第三水平高度与所述第四水平高度之间的差。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。