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龙图腾网恭喜西湖烟山科技(杭州)有限公司申请的专利发光二极管外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730491B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510229092.9，技术领域涉及：H10H20/815；该发明授权发光二极管外延片及其制备方法是由请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光二极管外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开一种发光二极管外延片及其制备方法，通过在第一半导体层和量子阱层之间设置过渡层，且第一半导体层远离衬底一侧的表面包括凹凸结构，可以使得在第一半导体层远离衬底一侧的表面与过渡层形成的界面产生的晶格失配应力得到释放，提升过渡层在第一半导体层的表面成膜的晶体质量，有效提升量子阱层高组分设定元素的并入能力，改善量子阱层整体的晶体质量，提升高组分设定元素的量子阱层的发光效率。过渡层的至少一层张应力提供层中设定元素的组分大于量子阱层中设定元素的组分，张应力提供层对量子阱层产生的张应力可以至少部分平衡第一半导体层对量子阱层产生的压应力，弱化甚至消除QCSE效应，进一步提升发光效率。

本发明授权发光二极管外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括：衬底以及在所述衬底一侧层叠设置的第一半导体层、量子阱层和第二半导体层；所述第一半导体层和所述量子阱层之间还设置有过渡层，所述第一半导体层远离所述衬底一侧的表面包括凹凸结构；所述过渡层包括至少一层张应力提供层，至少一层所述张应力提供层中设定元素的组分大于所述量子阱层中所述设定元素的组分，以对所述量子阱层产生张应力；所述过渡层包括第一张应力提供层和至少一层第二张应力提供层；所述第二张应力提供层位于所述第一张应力提供层和所述量子阱层之间；所述第二张应力提供层中所述设定元素的组分小于所述第一张应力提供层中所述设定元素的组分，且所述第二张应力提供层中所述设定元素的成分大于或等于所述量子阱层中所述设定元素的组分；所述第一半导体层包括GaN层，所述量子阱层包括InGaN层；所述设定元素包括In；所述第一张应力提供层包括InN层；所述第二张应力提供层包括InxGa1-xN层、InyGa1-yN层和InzGa1-zN层，所述InxGa1-xN层、InyGa1-yN层和InzGa1-zN层在所述InN层远离所述衬底的一侧，且所述InxGa1-xN层、InyGa1-yN层和InzGa1-zN层沿所述第一半导体层指向所述量子阱层的方向依次层叠设置，其中，0.5x1，0.3y1，0.1z1，xyz，且x小于所述InN层的In组分。

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