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龙图腾网恭喜中国航天科工飞航技术研究院(中国航天海鹰机电技术研究院)申请的专利高强度低漏热支撑结构及具有其的超导磁体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114678183B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011568681.3，技术领域涉及：H01F6/00；该发明授权高强度低漏热支撑结构及具有其的超导磁体是由周伟;张艳清;陈慧星;刘旭洋;沈胜兵;陈松;胡良辉设计研发完成，并于2020-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本高强度低漏热支撑结构及具有其的超导磁体在说明书摘要公布了：本发明提供了一种高强度低漏热支撑结构及具有其的超导磁体，该支撑结构包括依次连接的第一端部支撑段、中部支撑段和第二端部支撑段，高强度低漏热支撑结构具有空心腔体，第一端部支撑段具有多个第一端部腔体，多个第一端部腔体设置在第一端部支撑段的与第一外杜瓦连接的端面；第二端部支撑段具有多个第二端部腔体，多个第二端部腔体设置在第二端部支撑段的与第二外杜瓦连接的端面；中部支撑段具有多个第三中部腔体，第一、第二端部腔体和第三中部腔体将高强度低漏热支撑结构分隔为由多段构成，高强度低漏热支撑结构的沿轴线方向的横截面形状为中国结形状。应用本发明的技术方案，以解决现有技术中支撑结构不能兼顾强度和热负载的技术问题。

本发明授权高强度低漏热支撑结构及具有其的超导磁体在权利要求书中公布了：1.一种用于超导磁体的高强度低漏热支撑结构，其特征在于，所述高强度低漏热支撑结构包括依次连接的第一端部支撑段（10）、中部支撑段（20）和第二端部支撑段（30），所述高强度低漏热支撑结构具有空心腔体（100a），所述空心腔体（100a）设置在所述第一端部支撑段（10）、所述中部支撑段（20）和所述第二端部支撑段（30）的中心位置，所述第一端部支撑段（10）与超导磁体的第一外杜瓦连接，所述第二端部支撑段（30）与超导磁体的第二外杜瓦连接，所述第一端部支撑段（10）具有多个第一端部腔体（10a），多个所述第一端部腔体（10a）设置在所述第一端部支撑段（10）的与所述第一外杜瓦连接的端面；所述第二端部支撑段（30）具有多个第二端部腔体（30a），多个所述第二端部腔体（30a）设置在所述第二端部支撑段（30）的与所述第二外杜瓦连接的端面；所述中部支撑段（20）具有多个第三中部腔体，所述第一端部腔体（10a）、所述第二端部腔体（30a）和所述第三中部腔体将所述高强度低漏热支撑结构分隔为由多段构成，所述高强度低漏热支撑结构的沿轴线方向的横截面形状为中国结形状；所述第一端部支撑段（10）、所述中部支撑段（20）和所述第二端部支撑段（30）采用3D打印技术一体成型；所述第一端部支撑段（10）、所述中部支撑段（20）和所述第二端部支撑段（30）采用螺栓依次相连接。

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