恭喜杭州广立微电子股份有限公司胡佳南获国家专利权
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龙图腾网恭喜杭州广立微电子股份有限公司申请的专利一种光刻通孔热点识别方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695155B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110263882.0，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种光刻通孔热点识别方法是由胡佳南;潘伟伟设计研发完成，并于2021-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光刻通孔热点识别方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种光刻通孔热点识别方法，包括获取版图信息；将用于连接所述连接层的通孔层的V0的侧边分别向外移动，将移动至触及相邻切断层图形的侧边扫过的矩形区域识别为扩充区；获取所述V0周围的扩充区数量，并根据V0周围的扩充区数量来识别所述V0是否为光刻通孔热点。能够实现方便、有效和快捷地对用于版图设计热点的搜索与分析。过程简洁，识别结果直观准确，有利于生产工艺的改进和效率提高。
本发明授权一种光刻通孔热点识别方法在权利要求书中公布了：1.一种光刻通孔热点识别方法，其特征在于，包括： 步骤S1.获取版图信息，包括：M0层、M0切断层和用于连接所述M0层的通孔层；所述M0层中的M0用于连接有源区；所述M0切断层中的切断记为M0C；所述通孔层的通孔呈矩形，记为V0； 步骤S2.将V0的四条侧边分别沿着垂直于该侧边的方向朝矩形外移动，直至满足条件则停止移动；所述条件包括触及所述M0C、移动的距离达到预设的第一距离；将移动至触及M0C停止的侧边扫过的矩形区域识别为扩充区； 步骤S3.获取所述V0周围的扩充区数量，并根据V0周围的扩充区数量来识别所述V0是否为光刻通孔热点，将周围有三个扩充区的V0判断为光刻通孔热点。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州广立微电子股份有限公司，其通讯地址为：310012 浙江省杭州市西湖区西斗门路3号天堂软件园A幢15楼F1座；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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