恭喜中国科学技术大学温晓镭获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学技术大学申请的专利一种用于氦离子显微镜成像质量校正的样品及其制作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112858363B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110247163.X,技术领域涉及:G01N23/2255;该发明授权一种用于氦离子显微镜成像质量校正的样品及其制作方法是由温晓镭设计研发完成,并于2021-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于氦离子显微镜成像质量校正的样品及其制作方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种用于氦离子显微镜成像质量校正的样品及其制作方法,所述样品包括衬底、导电层和聚苯乙烯微球颗粒,衬底上覆盖导电层,聚苯乙烯微球颗粒分散固定在导电层上;或者包括块体导电材料和聚苯乙烯微球颗粒,聚苯乙烯微球颗粒分散固定在块体导电材料上。由于氦离子在聚苯乙烯材料中穿透能力强,平均穿透深度超过微球尺寸,故聚苯乙烯微球颗粒在氦离子照射下不易发生融化、变形等损伤,并且其边界清晰的球形几何形状可灵敏反映出离子束聚焦问题,有利于离子束聚焦成像质量的校正。同时提供了一种用于氦离子显微镜离子束聚焦成像质量校正的样品的制作方法,该方法步骤简单,工艺要求低,适用于大批量生产。
本发明授权一种用于氦离子显微镜成像质量校正的样品及其制作方法在权利要求书中公布了:1.一种用于氦离子显微镜成像质量校正的样品,其特征在于,包括衬底、导电层和聚苯乙烯微球颗粒,衬底上覆盖导电层,聚苯乙烯微球颗粒分散固定在导电层上;或者包括块体导电材料和聚苯乙烯微球颗粒,聚苯乙烯微球颗粒分散固定在块体导电材料上;其中导电层或块体导电材料能够转移离子入射带来的正电荷,避免电荷积累影响成像信号的收集;由于氦离子在聚苯乙烯材料中穿透能力强,平均穿透深度超过微球尺寸,故聚苯乙烯微球颗粒在氦离子照射下不易发生融化、变形损伤,并且其边界清晰的球形几何形状可灵敏反映出离子束聚焦问题;有利于离子束聚焦成像质量的校正; 所述衬底和导电层之间还设置有粘附层,所述粘附层材料为钛、铬或镍,厚度为1~20nm;所述导电层厚度为95nm~1mm; 所述衬底为硅片、石英片、不锈钢片、铜片、铝片、铝合金片、钼片或钨片; 所述导电层或块体导电材料材质为银、铂、铜、铝、铬、钛、碳、钨、钼、不锈钢和铁中的一种或几种; 所述聚苯乙烯微球颗粒直径为10nm~95nm; 制作所述用于氦离子显微镜成像质量校正的样品的方法包括以下步骤: 1)在表面清洁平整的衬底上镀导电层,或将块体导电材料表面研磨平整并清洗干净; 2)在导电层或者块体导电材料上分散固定聚苯乙烯微球颗粒;所述分散固定聚苯乙烯微球颗粒的方法为在导电层或者块体导电材料表面滴涂、旋涂或采用提拉法涂覆含有聚苯乙烯微球颗粒的混悬液; 所述步骤1)中,还包括在表面清洁平整的衬底上镀导电层之前,对衬底进行清洗步骤,清洗步骤为将衬底浸入丙酮溶液中超声清洗5-10min,接着浸入异丙醇溶液中超声清洗5-10min,取出后用氮气吹干,得到表面清洁平整的衬底。
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