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龙图腾网恭喜江苏润阳世纪光伏科技有限公司申请的专利一种太阳能电池的SiN/SiON/SiN层叠薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112713218B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011604412.8，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种太阳能电池的SiN/SiON/SiN层叠薄膜及其制备方法是由李学峰设计研发完成，并于2020-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种太阳能电池的SiN/SiON/SiN层叠薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种太阳能电池的SiNSiONSiN层叠薄膜及其制备方法，包括如下步骤：1采用PECVD法在衬底背表面沉积形成氮化硅薄膜；2再采用PECVD法在所述氮化硅薄膜的表面沉积形成氮氧化硅薄膜；3然后再采用PECVD法在所述氮氧化硅薄膜的表面沉积形成氮化硅薄膜；最后在所述衬底背表面依次得到SiNSiONSiN层叠薄膜，综合膜厚为70nm～90nm、折射率为2.08～2.10。本发明的SiNSiONSiN层叠薄膜能够降低太阳能电池背面电学复合，提高钝化效果。

本发明授权一种太阳能电池的SiN/SiON/SiN层叠薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池的SiNSiONSiN层叠薄膜的制备方法，其特征在于， 所述SiNSiONSiN层叠薄膜的结构是在衬底背表面依次具有氮化硅薄膜层、氮氧化硅薄膜层和氮化硅薄膜层，所述SiNSiONSiN层叠薄膜综合膜厚为70nm~90nm、折射率为2.08~2.10； 包括如下步骤： （1）采用PECVD法在衬底背表面沉积形成氮化硅薄膜，所述氮化硅薄膜的折射率为2.10-2.15、膜厚为15nm～25nm； 控制PECVD法中所用反应气NH3流量为4500sccm、SiH4流量为1100sccm，反应气NH3、SiH4的体积比为9:2.2，控制沉积时间为420s获得； （2）再采用PECVD法在所述氮化硅薄膜的表面沉积形成氮氧化硅薄膜，所述氮氧化硅薄膜的折射率为2.10-2.15、膜厚为15nm～25nm； 控制PECVD法中所用反应气中N2O流量为200sccm、NH3流量为1500sccm、SiH4的流量为3500sccm，反应气N2O、NH3、SiH4的体积比为1:7.5:17.5，控制沉积时间为600s获得； （3）然后再采用PECVD法在所述氮氧化硅薄膜的表面沉积形成氮化硅薄膜所述氮化硅薄膜的折射率为2.10-2.15、膜厚为30nm～40nm； 控制PECVD法中所用反应气中NH3流量为6000sccm、SiH4的流量为850sccm，反应气NH3、SiH4的体积比为7.06:1，控制沉积时间为240s获得； 最后在所述衬底背表面依次得到SiNSiONSiN层叠薄膜。

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