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龙图腾网恭喜南通尚阳通集成电路有限公司申请的专利沟槽栅功率器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664819B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011541693.7，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权沟槽栅功率器件及其制造方法是由刘坚设计研发完成，并于2020-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本沟槽栅功率器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种沟槽栅功率器件，栅极沟槽由顶部沟槽和底部沟槽叠加而成且顶部沟槽的宽度大于底部沟槽的宽度；在底部沟槽中形成有沟槽栅；在外延层中形成有沟道区和源区；源区位于沟道区的表面；栅极导电材料层穿过沟道区；在栅极导电材料层顶部的顶部沟槽中填充有顶部介质层；源区通过第一接触孔连接到源极；第一接触孔穿过源区和沟道区相接触；第一接触孔由相邻的两个所述器件单元共用，且第一接触孔的底部宽度由相邻的两个栅极沟槽中的所述顶部介质层的间距自对准定义。本发明还公开了一种沟槽栅功率器件的制造方法。本发明能自对准定义源接触孔，从而有利于源接触孔的尺寸的缩小且能将源接触孔的尺寸缩小到小于光刻工艺所要求的最小尺寸。

本发明授权沟槽栅功率器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽栅功率器件，其特征在于，器件单元区包括多个并联的器件单元，各所述器件单元包括： 形成于第一导电类型的外延层中的栅极沟槽，由顶部沟槽和底部沟槽叠加而成，所述顶部沟槽的宽度大于所述底部沟槽的宽度； 在所述底部沟槽中形成有沟槽栅，所述沟槽栅包括填充于所述底部沟槽中的栅极导电材料层以及位于所述栅极导电材料层和所述底部沟槽的侧面间的栅介质层； 所述栅极导电材料层和所述底部沟槽的底部表面之间隔离有底部介质层； 在所述外延层中形成有第二导电类型掺杂的沟道区以及第一导电类型重掺杂的源区； 所述源区位于所述沟道区的表面； 在纵向上，所述栅极导电材料层穿过所述沟道区，被所述栅极导电材料层侧面覆盖的所述沟道区的表面用于形成导电沟道； 在所述栅极导电材料层顶部的所述顶部沟槽中填充有顶部介质层； 所述源区通过第一接触孔连接到由正面金属层组成的源极； 所述第一接触孔穿过所述源区和所述沟道区相接触； 所述第一接触孔由相邻的两个所述器件单元共用，且所述第一接触孔的底部宽度由相邻的两个所述栅极沟槽中的所述顶部介质层的间距自对准定义。

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