恭喜三星电子株式会社都桢湖获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利VFET单元布置的方法和单元架构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111916455B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010384755.1，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权VFET单元布置的方法和单元架构是由都桢湖;宋昇炫设计研发完成，并于2020-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本VFET单元布置的方法和单元架构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种单元架构以及用于布置多个单元以形成单元架构的方法。单元架构至少包括在单元宽度方向上彼此相邻布置的第一单元和第二单元，其中，第一单元包括一鳍连接器，该一鳍连接器围绕第一单元的多个鳍之中的一个鳍形成并将第一单元的垂直场效应晶体管VFET连接至第一单元的电源轨，第二单元包括连接至第二单元的电源轨的连接器，其中第一单元的鳍和第二单元的连接器在单元架构中在单元宽度方向上彼此相邻布置，并且其中第一单元的一鳍连接器和第二单元的连接器合并。
本发明授权VFET单元布置的方法和单元架构在权利要求书中公布了：1.一种单元架构，包括在单元宽度方向上彼此相邻布置的至少第一单元和第二单元， 其中所述第一单元包括一鳍连接器，所述一鳍连接器围绕所述第一单元的多个鳍中的一个鳍形成并且将所述第一单元的垂直场效应晶体管VFET连接至所述第一单元的电源轨， 其中所述第二单元包括连接至所述第二单元的电源轨的连接器， 其中所述第一单元的所述一个鳍和所述第二单元的所述连接器在所述单元架构中在单元宽度方向上彼此相邻地布置，以及 其中所述第一单元的所述一鳍连接器和所述第二单元的所述连接器合并。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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