恭喜新磊半导体科技(苏州)股份有限公司郭帅获国家专利权
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龙图腾网恭喜新磊半导体科技(苏州)股份有限公司申请的专利一种分子束外延工艺中的脱膜方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119913614B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510393161.X，技术领域涉及：C30B25/18；该发明授权一种分子束外延工艺中的脱膜方法是由郭帅;蒋建设计研发完成，并于2025-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种分子束外延工艺中的脱膜方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种分子束外延工艺中的脱膜方法，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：在预设As压条件下，将InP衬底升温至第一脱膜温度；在第一脱膜温度下保持第一时间段；从第一脱膜温度升温至第二脱膜温度；在第二脱膜温度下保持第三时间段，然后脱膜过程结束。本方法通过在比基准温度略低的第一脱膜温度下保持第一时间段，对衬底进行充分加热的同时，减少了磷的脱附，由于充分加热，减少了第二脱膜温度下表面氧化物完全脱附所需的时间，从而能够显著减少外延片表面缺陷，改善外延片表面质量。
本发明授权一种分子束外延工艺中的脱膜方法在权利要求书中公布了：1.一种分子束外延工艺中的脱膜方法，其特征在于，所述方法用于对InP衬底进行脱膜，所述方法包括：步骤a、在预设As压条件下，将InP衬底升温至第一脱膜温度，第一脱膜温度比预先获得的基准温度低4℃至6℃，基准温度为在预设As压条件下将InP衬底加热升温至RHEED图案出现×4再构条纹时的衬底温度，预设As压的压强范围为：大于或等于1×10-6Torr，并且小于或等于6×10-6Torr；步骤b、在第一脱膜温度下保持第一时间段，第一时间段t1的范围为6min≤t1≤14min；步骤c、从第一脱膜温度升温至第二脱膜温度，该升温过程所需的时间为第二时间段，第二时间段t2的范围为0.5min≤t2≤2min，第二脱膜温度减去基准温度之差的范围为大于或等于零并且小于或等于15℃；步骤d、在第二脱膜温度下保持第三时间段，然后脱膜过程结束。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人新磊半导体科技(苏州)股份有限公司，其通讯地址为：215151 江苏省苏州市高新区建林路666号出口加工区配套工业园28号厂房；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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