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龙图腾网恭喜广东德力光电有限公司申请的专利一种大功率倒装高压芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112951965B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110278136.9，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权一种大功率倒装高压芯片及其制作方法是由易翰翔;武杰;郝锐;李玉珠;陈慧秋设计研发完成，并于2021-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种大功率倒装高压芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及LED芯片技术领域，公开了一种大功率倒装高压芯片，包括衬底和设于衬底上的多个串联连接的GaN基外延层单元，GaN基外延层单元包括设于N型GaN层和P型GaN层，P型GaN层镀设有P型电极层，N型GaN层镀设有N型电极层，相邻的两个GaN基外延层单元中，上一个GaN基外延层单元的N型电极层通过连接电极层与下一个GaN基外延层单元的P型电极层连接，P型电极层、连接电极层和N型电极层均包括从上至下依次设置的AuSn层、Au层、Ni层、第一Ti层、第一AlCu层、第二Ti层、第二AlCu层和Cr层。本发明还公开了该大功率倒装高压芯片的制作方法，采用本发明能减少电极层数，提高生产效率，减少生产成本，同时正负电极之间的高低差减少，有利于后续的焊接以及芯片的散热。

本发明授权一种大功率倒装高压芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种大功率倒装高压芯片的制作方法，其特征在于： 该大功率倒装高压芯片包括衬底和设于所述衬底上的多个串联连接的GaN基外延层单元，所述GaN基外延层单元包括设于所述衬底上的N型GaN层和设于所述N型GaN层上的P型GaN层，所述P型GaN层镀设有P型电极层，所述N型GaN层镀设有N型电极层，相邻的两个所述GaN基外延层单元中，上一个所述GaN基外延层单元的所述N型电极层通过连接电极层与下一个所述GaN基外延层单元的所述P型电极层连接，所述P型电极层、所述连接电极层和所述N型电极层均包括从上至下依次设置的AuSn层、Au层、Ni层、第一Ti层、第一AlCu层、第二Ti层、第二AlCu层和Cr层，所述P型电极层、所述N型电极层和所述连接电极层均成型于同一蒸镀工序中； 该大功率倒装高压芯片的制作方法包括以下步骤： 1、制作外延层，利用MOCVD设备在衬底上依次生长N型GaN层、发光量子阱和P型GaN层，完成GaN基外延层的制作； 2、在所述GaN基外延层上镀设ITO层，然后对所述ITO层和所述GaN基外延层进行刻蚀，使所述N型GaN层外露出来且使所述GaN基外延层形成多个相互隔离的GaN基外延层单元； 3、在所述ITO层的表面镀上Ag层； 4、在相邻的所述GaN基外延层单元的间隙内沉积第一保护层； 5、蒸镀电极层，分别在所述ITO层上蒸镀P型电极层，在所述N型GaN层上蒸镀N型电极层，在所述第一保护层上蒸镀连接电极层，其中所述连接电极层的两端分别与所述P型电极层和所述N型电极层连接； 6、在所述GaN基外延层上沉积第二保护层，在所述第二保护层上刻蚀出使所述P型电极层外露的P型导电孔和使串联下最后一个所述N型电极层外露的N型导电孔。

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