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龙图腾网获悉森富科技股份有限公司申请的专利内存操作条件检查方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113496759B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010248509.3，技术领域涉及：G11C29/50；该发明授权内存操作条件检查方法是由林正隆;梁万栋设计研发完成，并于2020-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本内存操作条件检查方法在说明书摘要公布了：一种内存操作条件检查方法，由内存操作条件检查装置来实施，可使主板上中央处理单元（centralprocessingunit,CPU）通过设置在数个待测内存模块（deviceundertest,DUT）的输入电压（VDD、VDDQ与VPP）供应端子的量测单元回馈的电压量测值，能更精确地调整提供给各待测内存模块正确的供应电压，使中央处理单元能发挥最高效率，藉以VDD、VDDQ与VPP三个操作电压解决内存电源电压偏离的问题，从而能在量产测试的时候，可精确地调整输入至各待测内存模块端的正确的供应电压，以达到一致性的校正。

本发明授权内存操作条件检查方法在权利要求书中公布了：1.一种内存操作条件检查方法，由内存操作条件检查装置来实施，其特征在于，该方法包含下列步骤： 步骤一：经由一电源管理芯片提供数个原始供应电压至数个安装于主板上的待测内存模块，其中，每一待测内存模块包含第一输入电压供应端子、第二输入电压供应端子及第三输入电压供应端子，各该原始供应电压输入至各该待测内存模块的第一至第三输入电压供应端子，且各该原始供应电压包括VDD、VDDQ与VPP，所述第一输入电压供应端子为VDD供应端子，所述第二输入电压供应端子为VDDQ供应端子，所述第三输入电压供应端子为VPP供应端子； 步骤二：启用耦接至各待测内存模块的第一至第三输入电压供应端子的各量测单元，其中每一量测单元包含耦接至该第一输入电压供应端子的第一量测组件、耦接至该第二输入电压供应端子的第二量测组件及耦接至该第三输入电压供应端子的第三量测组件； 步骤三：利用各量测单元以该第一至第三量测组件分别施加一电阻值测量对应耦接的各待测内存模块的第一至第三输入电压供应端子的输入电压与电流，根据该电阻值中间偏压的变化以产生对应的当前供应电压并回馈至中央处理单元； 步骤四：该中央处理单元接收各量测单元发送的各待测内存模块的当前供应电压，并将这些当前供应电压与各待测内存模块的第一至第三输入电压供应端子对应的原始供应电压进行比对，并根据比对结果产生对应的补偿电压； 步骤五：针对与该补偿电压有关的待测内存模块，该中央处理单元通过该电源管理芯片控制提供该补偿电压给对应的待测内存模块进行补偿，从而能精确地调整输入至各该待测内存模块端的正确的供应电压。

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