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龙图腾网获悉苏州工学院申请的专利锡锑梯度掺杂绝缘半导体釉料及其低温烧结工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120097633B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510592637.2，技术领域涉及：C03C8/20；该发明授权锡锑梯度掺杂绝缘半导体釉料及其低温烧结工艺是由余磊;史梦飞;李翊;董子杰;李敏晨;赵俊锋;殷仕龙;谭大伟设计研发完成，并于2025-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本锡锑梯度掺杂绝缘半导体釉料及其低温烧结工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体陶瓷制备领域，具体涉及锡锑梯度掺杂绝缘半导体釉料及其低温烧结工艺。本发明通过对锡锑固溶体不同的处理工艺形成釉层内层至表层单位体积元素掺杂量的梯度变化，相较于传统均匀掺杂，本发明可以有效降低表面电场畸变率，提升表面污闪电压。本发明采用复合助熔剂体系，将烧结温度降低，并采用分段差异化气氛烧结保证釉层结构致密性，并避免了掺杂元素在高温下的过度损失，提升了釉层整体性能。本发明通过表面光催化料的掺杂，在烧结后与内部掺杂材料形成异质结结构，形成了较强的表面光清洁性能，降低污闪发生的概率。

本发明授权锡锑梯度掺杂绝缘半导体釉料及其低温烧结工艺在权利要求书中公布了：1.锡锑梯度掺杂绝缘半导体釉料，其特征在于，包含以下组分：锡锑固溶体8～11wt%、基釉76～83wt%、光催化料1～5wt%、助熔剂8wt%，并通过低温烧结工艺制备，所述低温烧结工艺包括如下步骤： S1：制备所述锡锑固溶体，采用不同的球磨工艺分别制备内层浆料和外层浆料，球磨完成后分别在80℃下烘干30分钟，再置入烧结炉中，升温至1200℃，保温1小时后自然冷却得到内层锡锑固溶体和外层锡锑固溶体； S2：配置所述基釉，并将基釉与S1制备的内层锡锑固溶体、S1制备的外层锡锑固溶体、所述光催化料分别混合研磨，加入溶剂调制，再加入所述助熔剂混合搅拌，对应得到底釉层釉浆、中釉层釉浆和表釉层釉浆； S3：旋转喷涂底釉层釉浆，喷涂完成后进行第一次快速干燥，在喷涂完成的底釉层上旋转喷涂中釉层釉浆，喷涂完成后进行第二次快速干燥，在喷涂完成的中釉层上旋转喷涂表釉层釉浆，喷涂完成后进行第三次快速干燥得到多层釉料； S4：将S3喷涂完成的多层釉料依次进行氧化气氛烧结和还原气氛烧结，烧结后冷却得到锡锑梯度掺杂绝缘半导体釉料。

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