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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利电涡流角位置传感器的解析模型及高信噪比优化设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120087312B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510563503.8，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权电涡流角位置传感器的解析模型及高信噪比优化设计方法是由黄晓艳;黄霁蓝;耿文涛;王焕然;吴敏设计研发完成，并于2025-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本电涡流角位置传感器的解析模型及高信噪比优化设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电涡流角位置传感器的高信噪比优化设计方法，涉及电涡流角位置传感器领域。首先通过建立传感器的三维等效磁路模型，定义接收线圈面的转子涡流等效平均磁密，根据法拉第电磁感应定律给出由等效平均磁密表示的接收线圈感应电压计算式。之后，通过建立激励线圈‑转子的二维简化电磁模型，利用傅里叶变换法求解转子区域和气隙区域磁场；引入等效平均磁密校正系数，根据气隙磁密分布对转子涡流等效平均磁密进行计算并校正，得到校正后的接收线圈感应电压计算式，进而得出从各设计参数到接收线圈感应电压的解析模型；通过该解析模型可以确定在不同尺寸要求和激励条件下使得传感器输出电压信号获取较高信噪比的最优设计参数组合。

本发明授权电涡流角位置传感器的解析模型及高信噪比优化设计方法在权利要求书中公布了：1.电涡流角位置传感器的解析模型，其特征在于，电涡流角位置传感器为正弦线圈电涡流角位置传感器，解析模型的建立包括以下步骤： 基于柱坐标系建立激励线圈、接收线圈和转子三者在空间中的三维磁路模型，给出激励线圈和正弦形接收线圈轨迹的坐标表达式； 在三维磁路模型中，定义接收线圈平面内转子投影区域的转子涡流等效平均磁密，根据法拉第电磁感应定律得到由转子涡流等效平均磁密表示的每相接收线圈感应电压表达式； 对激励线圈-气隙-转子系统，取其径向截面，建立简化的二维笛卡尔坐标系电磁模型，通过麦克斯韦方程组导出转子导体区域磁场满足的扩散方程和气隙区域磁场满足的磁准静态方程，采用傅里叶变换法求解，计算气隙磁密分布； 根据气隙磁密分布，引入等效平均磁密校正系数，对转子涡流等效平均磁密进行计算并校正，得到校正平均磁密，进而得到校正后的每相接收线圈感应电压计算式； 由每相接收线圈感应电压计算式，构建各设计参数到接收线圈感应电压的解析模型； 其中，由每相接收线圈感应电压计算式，构建各设计参数到接收线圈感应电压的解析模型，包括： 接收线圈正弦相和余弦相感应电压分别由下式计算： 其中包含3个因子，分别是幅值项、高频载波项和低频调制项； 其中V m 为幅值项，是正弦相感应电压的低频调制相，是余弦相感应电压的低频调制相，是高频载波项；ω m 为转子机械角频率，ω f 为激励电流角频率，T为转子从零位置角开始的旋转时间； 正弦相和余弦相感应电压具有相同的幅值项V m ，为6个设计参数的函数，即，其中k 1为接收线圈尺寸参数，H a 为气隙厚度，H l 为接收线圈所在的PCB层间距，ω f 为激励电流角频率，I f 为激励电流有效值，σ c 为转子材料电导率。

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