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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利集成电路器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111613622B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911241565.8，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权集成电路器件及其制造方法是由尹壮根;李载惪;宋在爀设计研发完成，并于2019-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成电路器件及其制造方法在说明书摘要公布了：提供了集成电路器件及其制造方法。集成电路器件可以包括交替地堆叠的多个字线结构和多个绝缘膜。所述多个字线结构和所述多个绝缘膜的侧面限定了延伸穿过所述多个字线结构和所述多个绝缘膜的沟道孔的侧面。所述器件还可以包括位于所述沟道孔的侧面上的阻挡介电膜，以及位于所述阻挡介电膜且分别位于所述多个字线结构的侧面上的多个电荷存储膜。所述多个电荷存储膜中的每一个电荷存储膜可以包括顺序地堆叠在所述多个字线结构的侧面中的相应侧面上的第一电荷存储膜和第二电荷存储膜。所述第二电荷存储膜的表面可以在其中间部分包括凹部。

本发明授权集成电路器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路器件，所述集成电路器件包括： 多个字线结构，所述多个字线结构在与衬底的主表面平行的水平方向上在所述衬底上延伸，并且在与所述衬底的主表面垂直的竖直方向上彼此交叠； 多个绝缘膜，所述多个绝缘膜与所述多个字线结构在所述竖直方向上交替地堆叠并在所述水平方向上延伸，其中，所述多个字线结构的侧面和所述多个绝缘膜的侧面限定了延伸穿过所述多个字线结构和所述多个绝缘膜的沟道孔的侧面； 阻挡介电膜，所述阻挡介电膜在所述沟道孔的所述侧面上延伸； 多个电荷存储膜，所述多个电荷存储膜在所述沟道孔中在所述阻挡介电膜上彼此间隔开，并且分别位于所述多个字线结构的所述侧面上，所述多个电荷存储膜中的每一个电荷存储膜包括顺序地堆叠在所述多个字线结构的所述侧面中的相应侧面上的第一电荷存储膜和第二电荷存储膜；以及 隧穿介电膜，所述隧穿介电膜在所述沟道孔中位于所述阻挡介电膜和所述多个电荷存储膜上， 其中，所述第二电荷存储膜包括面对所述阻挡介电膜的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面， 其中，所述第二电荷存储膜的所述第二表面在其沿所述竖直方向的中间部分包括凹部， 其中，所述第二电荷存储膜具有相比于所述中间部分进一步朝向所述沟道孔突出的上部和下部，并且 其中，所述隧穿介电膜具有分别与所述第二电荷存储膜的所述上部和所述下部相对应的在朝向所述沟道孔的方向上凹入的弯曲部分。

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