西北工业大学;西安西测测试技术股份有限公司苏昱太获国家专利权
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龙图腾网获悉西北工业大学;西安西测测试技术股份有限公司申请的专利一种微波组件氢效应可靠性评价方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120105763B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510595590.5,技术领域涉及:G06F30/20;该发明授权一种微波组件氢效应可靠性评价方法是由苏昱太;周圳锐;李泽新设计研发完成,并于2025-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种微波组件氢效应可靠性评价方法在说明书摘要公布了:本发明属于电子器件可靠性分析与评估技术领域,具体公开了一种微波组件氢效应可靠性评价方法,包括:测量微波组件封装腔体内部氢浓度演化规律,拟合得到饱和氢浓度和释氢速率常数;建立微波组件各芯片在不同氢气浓度和温度下的寿命模型;基于饱和氢浓度、释氢速率常数和微波组件各芯片在不同氢气浓度和温度下的寿命模型,计算微波组件各芯片在动态氢浓度与不确定性参数共同作用下的等效寿命,进而计算微波组件氢效应可靠性指标,完成微波组件氢效应可靠性评价。本发明解决了现有技术中缺乏对微波组件中氢气释放与芯片氢中毒反应之间耦合效应的建模能力、无法准确预测长期可靠性的问题。
本发明授权一种微波组件氢效应可靠性评价方法在权利要求书中公布了:1.一种微波组件氢效应可靠性评价方法,其特征在于,包括以下步骤: 测量微波组件封装腔体内部氢浓度演化规律,并拟合得到饱和氢浓度和释氢速率常数; 建立微波组件各芯片的寿命分布参数随时间变化的拟合模型; 基于饱和氢浓度、释氢速率常数和微波组件各芯片的寿命分布参数随时间变化的拟合模型,计算微波组件各芯片在动态氢浓度与不确定性参数共同作用下的等效寿命,具体为: 确定第个芯片的局部工作温度与微波组件封装腔体平均温度; 根据微波组件封装腔体平均温度结合微波组件封装管壳内部的释氢特性,建立腔体氢浓度随时间的演化模型: 其中,表示在时间下的腔体氢气浓度,表示在温度下达到平衡时的饱和氢浓度,表示自然底数,表示微波组件封装腔体平均温度对应的释氢速率常数;释氢特性包括饱和氢浓度和释氢速率常数; 基于各芯片的寿命分布参数随时间变化的拟合模型和腔体氢浓度随时间的演化模型,在和局部工作温度下计算微波组件各芯片寿命分布参数随时间的变化,进而对微波组件各芯片进行损伤积分; 根据损伤积分,计算得到微波组件各芯片在动态氢浓度与不确定性参数共同作用下的等效寿命; 基于微波组件各芯片在动态氢浓度与不确定性参数共同作用下的等效寿命,计算微波组件氢效应可靠性指标,完成微波组件氢效应可靠性评价。
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