深圳平湖实验室王鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利一种拼接单晶金刚石及其制备方法、单晶金刚石获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120060967B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510557717.4,技术领域涉及:C30B29/04;该发明授权一种拼接单晶金刚石及其制备方法、单晶金刚石是由王鹏;米天和;胡浩林;张道华;万玉喜设计研发完成,并于2025-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种拼接单晶金刚石及其制备方法、单晶金刚石在说明书摘要公布了:本公开实施例提供了一种拼接单晶金刚石及其制备方法、单晶金刚石,通过在拼接金刚石外延层的缺陷区域采用间隔排布的多个第一TiAu掩膜条作为阻挡结构,在外延生长第一拼接单晶金刚石时,可以阻碍拼接金刚石外延层对应于拼接缝处位错的纵向延伸,以及避免缺陷区域AA被一整块的掩膜遮挡,从而达到改善外延生长的第一拼接单晶金刚石质量的目的;并且,TiAu层作为掩膜层,Ti层可以保证附着性,Au层的延展性较好,使得外延生长的第一拼接单晶金刚石有应力释放的空间,降低其断裂风险,进一步提高晶体质量。
本发明授权一种拼接单晶金刚石及其制备方法、单晶金刚石在权利要求书中公布了:1.一种拼接单晶金刚石,其特征在于,包括: 拼接金刚石衬底,包括拼接的多个金刚石籽晶,多个所述金刚石籽晶之间具有拼接缝,所述拼接缝的宽度小于500μm; 拼接金刚石外延层,覆盖所述拼接金刚石衬底的表面,所述拼接金刚石外延层具有覆盖所述拼接缝的缺陷区域; 第一TiAu掩膜层,位于所述拼接金刚石外延层远离所述拼接金刚石衬底的一侧,且覆盖所述缺陷区域;所述第一TiAu掩膜层包括沿所述拼接缝延伸方向延伸且间隔排布的多个第一TiAu掩膜条;所述第一TiAu掩膜条的宽度小于所述拼接缝的宽度; 第一拼接单晶金刚石,填充所述第一TiAu掩膜层的间隙,以及覆盖各所述第一TiAu掩膜条和所述拼接金刚石外延层远离所述拼接金刚石衬底的表面。
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