电子科技大学张袁获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种基于非共形部分元等效电路法的电磁参数提取方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120180845B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510646770.1,技术领域涉及:G06F30/25;该发明授权一种基于非共形部分元等效电路法的电磁参数提取方法是由张袁;赵延文;蔡强明设计研发完成,并于2025-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于非共形部分元等效电路法的电磁参数提取方法在说明书摘要公布了:本发明的目的在于提供一种基于非共形部分元等效电路法的电磁参数提取方法,属于计算电磁学技术领域。本发明方法对多尺度电磁结构按照尺寸的差别划分为不同区域,每个区域采用对应大小的三棱柱网格进行剖分,同时在非共形的交界处定义h‑SPV基函数,保证了非共形交接处电流的连续性。本发明对多尺度结构问题的计算过程中,利用非共形网格剖分避免了不同区域交界面处的大量过渡网格单元,通过在交界面端口建立电流连续性边界条件达到保证计算精度的同时,降低了计算复杂度。
本发明授权一种基于非共形部分元等效电路法的电磁参数提取方法在权利要求书中公布了:1.一种基于非共形部分元等效电路法的电磁参数提取方法,其特征在于,包括以下步骤: 步骤1.对多尺度结构进行分域建模:将多尺度结构按照尺寸的不同分解为若干子区域,每个子区域采用尺寸相适应的三棱柱网格单元进行剖分; 步骤2.对目标进行电流离散:在每个子区域内采用标准SPV基函数表征导体中的等效体电流,在子区域间的非共形交界面处引入h-SPV基函数表征导体的等效体电流;同时施加等效边界条件约束,使子区域交界面处满足电流连续性,得到等效体电流和空间任意点的电位; SPV基函数由横向SPV基函数和纵向SPV基函数组成;h-SPV基函数由横向h-SPV基函数和纵向h-SPV基函数组成,其表达式分别为: 1 2 其中,表示三棱柱单元,表示交界面为三角形的面积,表示横截面三角形与边界边相交的长度,表示为三棱柱单元的高度,矢量表示横截面三角形的自由顶点指向三角形内任意一点的向量,矢量为原点到三棱柱单元内任意一点的向量; 步骤3.将步骤2得到的等效体电流和空间任意点的电位的表达式带入体电场积分方程,并通过伽辽金测试法推导得到部分电阻、部分电感和部分电容的表达式,具体过程为: 体电场积分方程的混合位形式可表示为: 3 其中,为散射电场,矢量磁位与空间任意点的电位通过格林函数与源分布相关联;表示拉普拉斯算符,为角频率,j为复数符号; 应用伽辽金测试方法,即以基函数与测试函数相同,对式(3)作内积运算得到: 4 将SPV基函数离散体电流表达式和场点的脉冲基函数离散电荷表达式代入式(4),对上式左端三部分分别展开得到部分电阻、部分电感和部分电位系数表达式,分别为: 5 6 7 其中,为电导率;为磁导率;为格林函数;为介电常数;为两个三棱柱单元的交界面为四边形的四边形面积,为第m个源点对应的基函数的表达式,为第n个源点对应的基函数的表达式; 另外,定义部分电容; 步骤4.结合基尔霍夫电流、电压定律和边界条件构建部分元电路方程组,基于部分元电路方程组建立矩阵方程,然后对矩阵方程进行求解,得到电压和基函数对应电流; 步骤5.通过步骤4求得的电压和基函数对应电流计算求解得到所需的电磁参数,具体过程为: 采用PEEC算法提取电磁参数时,在端口处加电流源电流得到端口电压,或在端口处加电压源电压得到端口电流; 则端口输入阻抗的表达式为或; S参数表达式为:;其中为参考阻抗; 欧姆损耗表达式为;Iu为序号为u的基函数的电流,Ru为序号为u的基函数的电阻,U为导体内部基函数的总个数。
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