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龙图腾网获悉微玖(苏州)光电科技有限公司申请的专利一种改善AlGaInP红光Micro LED芯片光电性能的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120129389B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510617637.3，技术领域涉及：H10H29/01；该发明授权一种改善AlGaInP红光Micro LED芯片光电性能的方法是由黄振;钟冠伦;王程功;郑鹏远;张宇设计研发完成，并于2025-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改善AlGaInP红光Micro LED芯片光电性能的方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种改善AlGaInP红光MicroLED芯片光电性能的方法，包括如下步骤：S1，衬底预处理与缓冲层生长；S2，刻蚀阻挡层生长；S3,绝缘膜层制备与图形化；S4,n型GaNInGaN欧姆接触层生长；S5,外延片结构生长：在欧姆接触层上依次外延生长多种功能层；S6，芯片工艺处理：对外延片进行一系列芯片工艺处理；本申请的n型GaN（InGaN）高掺杂浓度及低接触电阻率，使芯片串联电阻较传统方案降低30%‑50%，功耗同步下降；避免GaAs材料吸光及金属层遮光，结合微透镜阵列，光输出功率提升25%以上，光提取效率（LEE）提高30%‑50%；低电阻减少焦耳热，工作温度降低10‑15℃，缓解热致亮度衰减，延长器件寿命。

本发明授权一种改善AlGaInP红光Micro LED芯片光电性能的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善AlGaInP红光MicroLED芯片光电性能的方法，其特征在于，包括如下步骤： S1，衬底预处理与缓冲层生长：选用n型掺杂的GaAs衬底，对其清洗后，采用MOCVD系统在衬底上外延生长n型GaAs缓冲层，控制该缓冲层的掺杂浓度、厚度和生长温度在特定范围； S2，刻蚀阻挡层生长：在特定温度下，于上述缓冲层上外延生长n型AlxGa1-xyInP刻蚀阻挡层，确定x、y的取值范围以及刻蚀阻挡层的厚度范围； S3,绝缘膜层制备与图形化：从反应室取出带有刻蚀阻挡层的衬底，清洗吹干后，用PECVD设备在刻蚀阻挡层上生长绝缘膜层；通过涂胶、曝光、显影工艺和刻蚀工艺，在绝缘膜层上形成图形化掩膜和多个通孔； S4,n型GaNInGaN欧姆接触层生长：去除光刻胶并清洗衬底，放入MOCVD反应室，在一定温度下外延生长n型GaN或n型InGaN欧姆接触层；生长结束后，采用特定的腐蚀或刻蚀方法去除绝缘膜层及多余的GaNInGaN膜层，使欧姆接触层仅保留在通孔区域内； S5,外延片结构生长：在欧姆接触层上依次外延生长多种功能层，包括n型AlInP限制层、n型超晶格结构、非掺杂间隔层、量子阱结构、p型间隔层、p型限制层、p型超晶格结构、p型渐变层与重掺杂层，对各层的生长温度、厚度、掺杂浓度或掺杂源进行精确控制； S6，芯片工艺处理：对外延片进行一系列芯片工艺处理，包括在p侧沉积P-ITO膜层并退火，蒸镀键合金属层后与Si基CMOS驱动IC键合；去除GaAs衬底和n型GaAs缓冲层，刻蚀开窗；湿法腐蚀暴露欧姆接触层并沉积硬掩膜；光刻、刻蚀形成mesa结构并修复侧壁；沉积侧壁钝化层并通过IBE刻蚀实现像素间电气绝缘；沉积N-ITO膜层并刻蚀开孔，实现n型互连并去除非显示区域N-ITO膜层，蒸镀金属层形成金属电极；利用PECVD设备沉积或膜层，通过涂胶、曝光、显影、热板回流和ICP刻蚀形成微透镜阵列，增强芯片的聚光效果。

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