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申请/专利权人：深圳市航盛电子股份有限公司
摘要：本发明提供一种减少EEPROM的数据读写出错的方法，包括以下步骤：数组定义步骤，在SRAM定义一个缓冲数组，在EEPROM中定义数据区数组和备份区数组，所述数据区数组和备份区数组中均包括CRC校验数据；向EEPROM中写数据的数据写入步骤；校验数据计算步骤，将计算出的CRC检验数据写到数据区数组和备份区数组的校验数据区域；数据校验步骤，通过CRC校验数据对数据区数组和备份区数组的有效性进行校验；数据修复步骤；以及，默认重写步骤。本发明能够有效地减少EEPROM在读写掉电、强干扰和强静电等异常情况的数据读写出错几率，而且不需要占用较多的EEPROM空间，软件开销小、程序稳定可靠。
主权项：一种减少EEPROM的数据读写出错的方法，其特征在于，包括以下步骤：数组定义步骤，在SRAM定义一个缓冲数组 ，在EEPROM中定义两个数组，所述EEPROM中定义的两个数组分别为数据区数组和备份区数组，所述数据区数组和备份区数组中均包括CRC校验数据；数据写入步骤，向EEPROM中写数据时，先把数据放到缓冲数组中，并调用写入函数将缓冲数组的数据按顺序写入数据区数组和备份区数组；校验数据计算步骤，在将缓冲数组的数据按顺序写入数据区数组和备份区数组之后，调用校验函数计算出当前备份的CRC检验数据，并将该CRC检验数据写到数据区数组和备份区数组的校验数据区域；数据校验步骤，系统上电复位后通过CRC校验数据对数据区数组和备份区数组的有效性进行校验，若均有效则正常读取EEPROM的数据，若否，则跳转至数据修复步骤；数据修复步骤，若数据区数组和备份区数组中有一个区的数据有效，则对损坏的数据进行修复，否则跳转至默认重写步骤；以及，默认重写步骤，将默认的正常标定的值重新写给EEPROM内的数据区数组和备份区数组；还包括数据写入判断步骤，在校验数据计算步骤之后，判断数据写入是否有效，若是则跳至数据校验步骤，并设置写入有效标识；若否，则设置写入错误标识，结束程序；所述数据校验步骤中，若数据区数组和备份区数组的数据均有效，则将任一区数组的数据复制给SRAM做运算。
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百度查询： 深圳市航盛电子股份有限公司 一种减少EEPROM的数据读写出错的方法
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