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申请/专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日：2016-09-30
公开（公告）日：2017-02-22
公开（公告）号：CN106449411A
专利技术分类：......带有绝缘栅的[2006.01]
专利摘要：本发明提供了一种MOSFET器件制造方法以及MOSFET器件。本发明的MOSFET器件制造方法包括：第一步骤：执行刻蚀以在衬底上形成MOSFET器件的鳍结构；第二步骤：在鳍结构上执行栅氧化层生长；第三步骤：在栅氧化层上形成多晶硅栅极图案。
专利权项：一种MOSFET器件制造方法，其特征在于包括：第一步骤：执行刻蚀以在衬底上形成MOSFET器件的鳍结构；第二步骤：在鳍结构上执行栅氧化层生长；第三步骤：在栅氧化层上形成多晶硅栅极图案。
百度查询： 上海华力微电子有限公司 MOSFET 器件制造方法以及 MOSFET 器件
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