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全波混频器专利

发布时间:2018-11-30 15:35:41 来源:龙图腾网 导航: 龙图腾网> 最新专利技术> 全波混频器

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申请/专利权人:上海美多通信设备有限公司

申请日:2010-02-05

公开(公告)日:2010-10-20

公开(公告)号:CN201611868U

专利技术分类:.平衡装置[2006.01]

专利摘要:本实用新型提供一种全波混频器,它由场效应管、偏置电阻、传输变压器组成的本振驱动模块和由传输变压器组成的传输变换模块组成。在本振驱动模块中通过采用低噪声、大动态的DMOS场效应管取代混频二极管,使允许输入本振电平从原来的20dBm提高到32dBm,解决了双平衡混频电路存在动态范围小、噪声大等技术问题,大大提高了高频通信接收设备的动态范围,使最大射频输入信号达到25dBm以上,且其电路简单、体积小、噪声小,隔离度高。

专利权项:一种全波混频器,其特征是:包括四个场效应管V1~V4,四个传输变压器T1~T4,电阻R1、R2,电容C1、C2、C3;其中四个MOS场效应管V1~V4的B极并联与偏置电压端X4连接,第1场效应管V1的源极S和第2场效应管V2的漏极D并联与第1传输变压器T1的3端连接,第1场效应管V1漏极D和第2场效应管V2的源极S并联与第1传输变压器T1的4端连接;第3场效应管V3的漏极D和第4场效应管v4的源极S并联与第2传输变压器T2的3端连接,第3场效应管V3的源极S和第4场效应管V4的漏极D并联与第2传输变压器T2的4端连接;第1场效应管V1和第2场效应管V2的栅极G并联与偏置电阻R1和耦合电容C1连接,第3场效应管V3和第4场效应管V4的栅极G并联与偏置电阻R2和耦合电容C2连接;其中第3传输变压器T3的3、4端分别与第2传输变压器T2的2端、第1传输变压器T1的1端连接,其中间抽头5与混频信号输出端x2连接,其1端与射频信号输入端X1连接;其中第4传输变压器T4的1、3端分别与耦合电容C1、C2的另一端连接,其4端与本振信号输入端X3连接。

百度查询: 上海美多通信设备有限公司 全波混频器

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