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申请/专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日：2018-05-23
公开（公告）日：2018-10-30
公开（公告）号：CN108717934A
专利技术分类：.在制造或处理过程中的测试或测量[2006.01]
专利摘要：本发明提供了一种金属离子监控方法，提供晶圆，所述晶圆中注入有采样离子；将所述晶圆装载至待监控设备中进行正常作业；所述晶圆自所述待监控设备载出后，对所述晶圆进行缺陷扫描；以及依据扫描后晶圆上的缺陷判断所述待监控设备中是否存在金属离子。传统的检测金属离子的滴定法分析，整个检测过程复杂，且所需时间较长。本发明所提供方法，通过检测工程晶圆表面出现结晶以及白色条状痕迹的缺陷情况快速检测设备中金属离子情况，可以在较短时间内得到金属离子检测结果，及时对设备情况作出判断，缩短影响区间，缩短响应时间，可有效减少由于湿法去胶设备溶液中金属离子超标对产品良率产生的不良影响，提升产品质量。
专利权项：1.一种金属离子监控方法，其特征在于，包括，提供晶圆，所述晶圆中注入有采样离子；将所述晶圆装载至待监控设备中进行正常作业；所述晶圆自所述待监控设备载出后，对所述晶圆进行缺陷扫描；以及依据扫描后晶圆上的缺陷判断所述待监控设备中是否存在金属离子。
百度查询： 上海华力微电子有限公司 金属离子监控方法
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