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申请/专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日：2015-01-28
公开（公告）日：2015-04-29
公开（公告）号：CN104561932A
专利技术分类：.以镀覆方法为特征的（C23C16/04优先）[2006.01]
专利摘要：本发明公开了一种气相沉积系统及气相沉积方法。气相沉积系统包括：容纳室；设置在所述容纳室内的用于承载基板的基台，所述基台将容纳室隔开形成可密闭的反应室；设置在所述反应室内的与基台相对设置的喷淋装置，其中，所述喷淋装置用于喷淋气相沉积用的工艺气体；设置在所述容纳室内且所述反应室外的风冷装置，其包括多个可出冷风的出风口且每个出风口的出风量可单独控制；所述风冷装置的出风口的冷风可吹向所述基台。使用上述气相沉积系统的气相沉积方法。本发明的气相沉积系统及气相沉积方法，每个出风口的出风量可单独控制，使得基板的各个区域温度相对均匀，进而使得气相沉积形成的薄膜厚度更加均匀。
专利权项：一种气相沉积系统，其特征在于，包括：容纳室；设置在所述容纳室内的用于承载基板的基台，所述基台将容纳室隔开形成可密闭的反应室；设置在所述反应室内的与基台相对设置的喷淋装置，其中，所述喷淋装置用于喷淋气相沉积用的工艺气体；设置在所述容纳室内且所述反应室外的风冷装置，其包括多个可出冷风的出风口且每个出风口的出风量可单独控制；所述风冷装置的出风口的冷风可吹向所述基台。
百度查询： 京东方科技集团股份有限公司 气相沉积系统及气相沉积方法
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