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申请/专利权人：清华大学;中国科学院物理研究所
申请日：2012-12-21
公开（公告）日：2015-04-15
公开（公告）号：CN103000803B
专利技术分类：
专利摘要：本发明涉及一种电学器件，包括绝缘基底及磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜，该绝缘基底具有相对的第一表面及第二表面，该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜生长在该第一表面，该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的材料由化学式CryBixSb1-x2-yTe3表示，其中0x1，0y2，且x与y的值选择为使铬在该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜中引入的空穴型载流子与铋在该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜中引入的电子型载流子基本相互抵消，该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的厚度为3QL至5QL。
专利权项：一种电学器件，其特征在于，包括：绝缘基底，该绝缘基底具有相对的第一表面及第二表面；磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜，该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜设置在该第一表面，该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的材料由化学式CryBixSb1‑x2‑yTe3表示，其中0.05x0.3，0y0.3，且1:2x:y2:1，x与y的值选择为使铬在该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜中引入的空穴型载流子与铋在该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜中引入的电子型载流子基本相互抵消，该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的载流子浓度为1×1013cm‑2以下，该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的厚度为3QL至5QL。
百度查询： 清华大学 中国科学院物理研究所 电学器件
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