Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

切槽爆破与光面爆破联合控制爆破法专利

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

申请/专利权人:兰州大学

申请日:2011-12-06

公开(公告)日:2012-05-09

公开(公告)号:CN102445117A

专利技术分类:.用于爆炸岩石[2006.01]

专利摘要:本发明涉及一种切槽爆破与光面爆破联合控制爆破法,该方法包括以下步骤:1对爆破开挖区划定周边轮廓线,并在主体爆破开挖区内布置微差爆破孔;2沿爆破开挖区周边轮廓线布置光面爆破孔;3在爆破开挖区周边轮廓线之内预留光面层靠主体爆破开挖区的一侧布置切槽爆破孔;4对切槽爆破孔进行切槽;5对切槽爆破孔进行爆破装药,并布设低段雷管;6对微差爆破孔进行爆破装药,并布设微差爆破雷管;7对光面爆破孔进行爆破装药,并布设高段雷管;8对微差爆破孔、切槽爆破孔和光面爆破孔进行堵塞;9连接起爆网路,实施爆破;10出渣;11重复上述步骤至开挖完毕。本发明在最大限度地减小对保留岩体损伤破裂的同时改善保留岩体壁面成形质量。

专利权项:切槽爆破与光面爆破联合控制爆破法,包括以下步骤:1根据微差爆破设计要求对爆破开挖区划定周边轮廓线,并在主体爆破开挖区4内布置微差爆破孔;2沿所述爆破开挖区周边轮廓线布置光面爆破孔7;3在所述爆破开挖区周边轮廓线之内预留光面层5靠所述主体爆破开挖区4的一侧布置切槽爆破孔1;所述预留光面层5的厚度为:所述爆破开挖区周边将要形成的保留岩体壁面6与切槽爆破孔轴线构成的平面3之间的距离,即光面爆破的最小抵抗线;4利用切槽机械对所述切槽爆破孔1直径的两端切出V形槽2,该V形槽2所在的直径处在所述切槽爆破孔轴线构成的平面3内;所述切槽爆破孔轴线构成的平面3与所述保留岩体壁面6平行;5根据岩体的类型对所述切槽爆破孔1按不耦合系数1.5~2.5进行爆破装药,并布设低段雷管;其中所述岩体属于软岩时线装药密度为70~120gm,所述岩体属于中硬岩时线装药密度为120~300gm,所述岩体属于硬岩时线装药密度为300gm~350gm;6根据微差爆破设计要求对所述主体爆破开挖区4内的微差爆破孔进行爆破装药,并比所述切槽爆破孔1高二段开始隔段布设微差爆破雷管;7对所述光面爆破孔7按与所述切槽爆破孔1相同的装药不耦合系数、线装药密度、装药品种进行爆破装药,并比所述主体爆破开挖区4最高段高二段布设所述爆破雷管;8对所述主体爆破开挖区4内的微差爆破孔、所述切槽爆破孔1和所述光面爆破孔7进行堵塞;9连接起爆网路,实施一次起爆,进行微差爆破,即所述切槽爆破孔1低段雷管起爆,接着所述主体爆破开挖区4内的微差爆破孔隔段布设的雷管起爆,最后所述光面爆破孔7起爆;10出渣;11重复上述步骤1~10,直至开挖完毕。

百度查询: 兰州大学 切槽爆破与光面爆破联合控制爆破法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。