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申请/专利权人：昆明鼎邦科技有限公司;昆明理工大学
申请日：2015-05-06
公开（公告）日：2015-08-05
公开（公告）号：CN104818388A
专利技术分类：
专利摘要：本发明涉及一种铟锡氧化物真空还原分离铟和锡的方法。将铟锡氧化物通过球磨破碎后加入还原剂混合均匀并制粒，将干燥后的铟锡氧化物颗粒加入到真空炉内，控制炉内真空度、温度、反应时间及保温时间，使铟锡氧化物在真空炉中还原并蒸发达到铟与锡分离的目的。通过真空还原蒸馏分离可得到含锡大于98wt.%、含铟小于0.5wt.%的粗锡合金及含铟大于99wt.%、含锡小于0.2wt.%的粗铟合金。真空蒸馏得到的粗铟合金和粗锡合金可直接电解，得到精铟和精锡。金属直收率可达99%。
专利权项： 一种铟锡氧化物真空还原分离铟和锡的方法，将铟锡氧化物通过球磨破碎后加入还原剂混合均匀并制粒，将干燥后的铟锡氧化物颗粒加入到真空炉内，控制炉内真空度、温度、反应时间及保温时间，使铟锡氧化物在真空炉中还原并蒸发达到铟与锡分离，得到的粗铟合金和粗锡合金品位达到电解要求，其特怔在于具体步骤如下：步骤1、将铟和锡为任意比例的铟锡氧化物通过球磨破碎至直径小于2mm，然后加入反应所需理论量的1.2~1.6倍的还原剂与铟锡氧化物混合均匀后制成直径为0.1~2 cm的颗粒，在50~120℃下干燥至颗粒含水量小于2%；步骤2、将步骤1所得的铟锡氧化物颗粒加入到真空炉内，控制炉内真空度1～50Pa，采用阶段升温方式，首先升温至900～1000℃保温1～2h，使铟锡氧化物在真空炉中发生初步还原反应；步骤3、待步骤2反应结束后，升温至1300～1500℃时保温0.5～4h，使物料发生深度还原反应，同时使还原反应得到的金属铟锡合金中的铟蒸馏，待保温结束后，得挥发物粗铟及残留物粗锡。
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