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申请/专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日：2005-01-25
公开（公告）日：2006-08-02
公开（公告）号：CN1812104A
专利技术分类：...在重复结构中包括有多个独立组件的[2006.01]
专利摘要：本发明是关于一种记忆胞，该记忆胞是由基底、穿隧介电层、电荷陷入层、闸间介电层以及金属闸极层所构成。其中，穿隧介电层是设置于基底上，其材质为氧化铝铪，电荷陷入层是设置于穿隧介电层上，闸间介电层是设置于电荷陷入层上，而金属闸极层则是设置于闸间介电层上。此种记忆胞可以解决漏电流的问题，且能够增加记忆胞的积集度，提高记忆胞程式化抹除效率。
专利权项：1、一种记忆胞，其特征在于其包括：一基底；一穿隧介电层，设置于该基底上，该穿隧介电层的材质包括氧化铝铪；一电荷陷入层，设置于该穿隧介电层上；一闸间介电层，设置于该电荷陷入层上；以及一金属闸极层，设置该闸间介电层上。
百度查询： 旺宏电子股份有限公司 记忆胞
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