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申请/专利权人:董英明
申请日:2010-02-26
公开(公告)日:2012-09-12
公开(公告)号:CN101960954B
专利技术分类:
专利摘要:甘草种植方法,其步骤包括整地、施肥、覆膜、播种,所述整地包括深松、碎土和成垄,所述播种采用膜下精量点播技术,取代现有种植方法中的条播和育苗移栽。本种植方法可有效改善甘草根部深层土壤结构,促进甘草根颈向下发展,减少了甘草根颈生长阻力,生长出的甘草独颈无杈,毛草量少,成品率高。
专利权项:甘草种植方法,其步骤包括整地、施肥、覆膜、播种,其特征在于:所述整地包括深松、碎土和成垄,深松为0.5‑1.5米,深松沟宽18‑60厘米,沟上自然起垄;所述施肥,进行垄上机械集中施肥,肥量为有机复合肥10‑30公斤亩,纯钾肥10‑20公斤亩,二胺10‑15公斤亩,施肥深度10‑15厘米;所述覆膜为机械覆膜,并铺设滴灌带;所述播种前,甘草种子经纯硫酸搅拌浸泡15‑20分钟,浸泡温度为10‑35℃;所述播种采用膜下精量点播技术;所述精量点播技术采用一垄双行点播或一垄四行点播技术,播种深度1.5‑2.0厘米,种穴轻微覆土1.0‑1.5厘米,宽行行距88‑102cm,窄行行距10cm,株距10cm;播种后有以下步骤,a)滴水补墒,b)定苗,每穴一株,并除尽田间杂草,c)用农药斩捕1500‑2000倍液进行机械喷雾,防治青、黑芽虫害2次,并连续进行滴水补墒,每次滴水补墒用水量15‑20立方亩,并随水带入二氢钾2公斤,每次滴水时间间隔10‑15天。
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