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申请/专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日：2015-12-16
公开（公告）日：2016-05-04
公开（公告）号：CN205211758U
专利技术分类：...除掺杂材料或其他杂质外，只包括AⅢBⅤ化合物的[2006.01]
专利摘要：本实用新型提供了一种GaN器件，其包括衬底以及在衬底上由下至上依次形成的AlN成核层、P型轻掺杂AlXGa1-XN渐变层、N型GaN外延层和器件结构层，P型轻掺杂AlXGa1-XN渐变层与N型GaN外延层形成PN结耗尽区。通过上述方式，本实用新型能够减少AlN与GaN的界面处的缺陷,并降低器件泄露电流。
专利权项：一种GaN器件，其特征在于，包括衬底以及在所述衬底上由下至上依次形成的AlN成核层、P型轻掺杂AlXGa1‑XN渐变层、N型GaN外延层和器件结构层，所述P型轻掺杂AlXGa1‑XN渐变层与所述N型GaN外延层形成PN结耗尽区。
百度查询： 成都海威华芯科技有限公司 GaN器件
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