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欠压锁定电路专利

发布时间:2019-03-05 20:53:11 来源:龙图腾网 导航: 龙图腾网> 最新专利技术> 欠压锁定电路

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申请/专利权人:杭州宽福科技有限公司

申请日:2018-08-12

公开(公告)日:2019-01-15

公开(公告)号:CN109213250A

专利技术分类:...利用与负载串联的半导体器件作为末级控制器的[2006.01]

专利摘要:本发明公开了一种欠压锁定电路。欠压锁定电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一NMOS管、第一PMOS管、第一NPN管、第二PMOS管、第二NPN管、第四电阻、第五电阻、第三PMOS管、第四PMOS管、第二NMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第三NMOS管、第一反相器、第二反相器和第三反相器。利用本发明可以当输入电源电压太低时会自动关闭输出。

专利权项:1.欠压锁定电路,其特征在于:包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一NMOS管、第一PMOS管、第一NPN管、第二PMOS管、第二NPN管、第四电阻、第五电阻、第三PMOS管、第四PMOS管、第二NMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第三NMOS管、第一反相器、第二反相器和第三反相器;所述第一电阻的一端接电源电压VCC,另一端接所述第二电阻的一端和所述第一NPN管的基极和所述第二NPN管的基极和所述第四PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极;所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述第一NPN管的基极和所述第二NPN管的基极和所述第四PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极,另一端接所述第一NMOS管的漏极和所述第三电阻的一端;所述第三电阻的一端接所述第一NMOS管的漏极和所述第二电阻的一端,另一端接地;所述第一NMOS管的栅极接所述第三反相器的输出端,漏极接所述第二电阻的一端和所述第三反相器的一端,源极接地;所述第一PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一NPN管的集电极和所述第三PMOS管的栅极,源极接电源电压VCC;所述第一NPN管的基极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端和所述第二NPN管的基极和所述第四PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极,集电极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第三PMOS管的栅极,发射极接所述第四电阻的一端和所述第五电阻的一端;所述第二PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第二NPN管的集电极和所述第五PMOS管的栅极,源极接电源电压VCC;所述第二NPN管的基极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端和所述第一NPN管的基极和所述第四PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极,集电极接所述第二PMOS管的栅极和漏极和所述第三PMOS管的栅极,发射极接所述第四电阻的一端;所述第四电阻的一端接所述第二NPN管的发射极,另一端接所述第一NPN管的发射极和所述第五电阻的一端;所述第五电阻的一端接所述第一NPN管的发射极和所述第四电阻的一端,另一端接地;所述第三PMOS管的栅极接所述第一NPN管的集电极和所述第一PMOS管的栅极和漏极,漏极接所述第四PMOS管的源极,源极接电源电压VCC;所述第四PMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端和所述第一NPN管的基极和所述第二NPN管的基极和所述第六PMOS管的栅极,漏极接所述第二NMOS管的栅极和漏极和所述第三NMOS管的栅极,源极接所述第三PMOS管的漏极;所述第二NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第四PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极,源极接地;所述第五PMOS管的栅极接所述第二NPN管的集电极和所述第二PMOS管的栅极和漏极,漏极接所述第六PMOS管的源极,源极接电源电压VCC;所述第六PMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端和所述第一NPN管的基极和所述第二NPN管的基极和所述第四PMOS管的栅极,漏极接所述第三NMOS管的漏极和所述第一反相器的输入端和所述第二反相器的输入端,源极接所述第五PMOS管的漏极;所述第三NMOS管的栅极接所述第四PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极和漏极,漏极接所述第六PMOS管的漏极和所述第一反相器的输入端和所述第二反相器的输入端,源极接地;所述第一反相器的输入端接所述第六PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的漏极和所述第二反相器的输入端,输出端为欠压锁定电路的输出端UVLO_OUT;所述第二反相器的输入端接所述第六PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的漏极和所述第一反相器的输入端,输出端接所述第三反相器的输入端;所述第三反相器的输入端接所述第二反相器的输出端,输出端接所述第一NMOS管的栅极。

百度查询: 杭州宽福科技有限公司 欠压锁定电路

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