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申请/专利权人：佳能株式会社
申请日：1998-08-26
公开（公告）日：1999-03-03
公开（公告）号：CN1209644A
专利技术分类：....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）[2006.01]
专利摘要：一种使两个基片重叠和接触的基片处理装置,包括:一用于支承第一基片的支承装置;一加压装置用于将第二基片压在由所述支承装置的支承的第一基片上,其特征在于:在第一基片的预定部分被弯曲与第二基片分离和第一基片不被弯曲的同时,所述支承装置能支承第一基片。还包括基片支承装置,基片处理方法,基片制造方法。
专利权项：1．一种使两个基片重叠和接触的基片处理装置，包括：一用于支承第一基片的支承装置；一加压装置用于将第二基片压在由所述支承装置支承的第一基片上，其特征在于：在第一基片的预定部分被弯曲与第二基片分离和第一基片不被弯曲的同时，所述支承装置能支承第一基片。
百度查询： 佳能株式会社 基片处理装置,基片支承装置,基片处理方法和基片制造方法
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