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成膜掩膜专利

发布时间:2019-03-06 16:23:36 来源:龙图腾网 导航: 龙图腾网> 最新专利技术> 成膜掩膜

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申请/专利权人:株式会社V技术

申请日:2013-07-18

公开(公告)日:2015-07-01

公开(公告)号:CN104755648A

专利技术分类:.局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物[2006.01]

专利摘要:本发明提供一种成膜掩膜,用于使蒸镀材料覆盖于基板上而形成薄膜图案,在该成膜掩膜中,具备:薄板状的磁性金属部件1,其在与上述薄膜图案相对应的位置设置有形状尺寸比该薄膜图案大的贯通孔4;和树脂制的薄膜2,其与上述磁性金属部件1的一个面紧贴而设置,且在上述贯通孔4内在与上述薄膜图案相对应的位置形成有形状尺寸与该薄膜图案相同的开口图案5,且可见光可透过薄膜2,上述开口图案5设置于开口图案形成区域7内,该开口图案形成区域7在上述贯通孔4内由上述磁性金属部件1的厚度与上述蒸镀材料相对于上述薄膜面的最大入射角度所决定的蒸镀的阴影的区域6所包围。

专利权项:一种成膜掩膜,用于使蒸镀材料覆盖于基板上而形成薄膜图案,所述成膜掩膜的特征在于,具备:薄板状的磁性金属部件,其在与所述薄膜图案相对应的位置设置有形状尺寸比该薄膜图案大的贯通孔;和树脂制的薄膜,其与所述磁性金属部件的一个面紧贴而设置,且在所述贯通孔内在与所述薄膜图案相对应的位置形成有形状尺寸与该薄膜图案相同的开口图案,且可见光可透过该薄膜,所述开口图案设置于开口图案形成区域内,该开口图案形成区域在所述贯通孔内由所述磁性金属部件的厚度与所述蒸镀材料相对于所述薄膜面的最大入射角度所决定的蒸镀的阴影的区域所包围。

百度查询: 株式会社V技术 成膜掩膜

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