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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日：2019-08-09
公开（公告）日：2020-02-21
公开（公告）号：CN110819949A
专利技术分类：..溅射[2006.01]
专利摘要：本发明提供一种能够以倾斜成膜为基础而进行自由度较高的溅射成膜的成膜装置、成膜系统以及成膜方法。成膜装置具备：处理腔室；第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部，其分别具有在处理腔室的处理空间沿着互不相同的倾斜方向释放溅射粒子的靶；溅射粒子遮蔽板，其具有供溅射粒子穿过的穿过孔；基板支承部，其支承基板；基板移动机构，其使基板直线地移动；以及控制部。控制部以使基板直线地移动的方式进行控制，同时控制来自第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部的溅射粒子的释放，从第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部释放出来的溅射粒子在穿过孔穿过，并向基板上堆积。
专利权项：1.一种成膜装置，其具备：处理腔室，其规定对基板进行成膜处理的处理空间；第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部，其分别具有在所述处理空间沿着互不相同的倾斜方向释放溅射粒子的靶；溅射粒子遮蔽板，其具有供从所述第1溅射粒子释放部和所述第2溅射粒子释放部释放出来的所述溅射粒子穿过的穿过孔；基板支承部，其隔着所述处理空间的所述溅射粒子遮蔽板设置于与所述第1溅射粒子释放部和所述第2溅射粒子释放部相反的一侧，该基板支承部用来支承基板；基板移动机构，其使支承于所述基板支承部的基板直线地移动；以及控制部，其控制所述第1溅射粒子释放部、所述第2溅射粒子释放部以及所述基板移动机构，所述控制部以利用所述基板移动机构使所述基板直线地移动的方式进行控制，同时控制来自所述第1溅射粒子释放部和所述第2溅射粒子释放部的溅射粒子的释放，从所述第1溅射粒子释放部和所述第2溅射粒子释放部释放出来的所述溅射粒子在所述穿过孔穿过，并向所述基板上堆积。
百度查询： 东京毅力科创株式会社 成膜装置、成膜系统以及成膜方法
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