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申请/专利权人：株式会社日立制作所
申请日：2009-08-24
公开（公告）日：2012-02-08
公开（公告）号：CN101738374B
专利技术分类：.入射光根据所测试的材料性质而改变的系统（其中所测试的材料因受到光学激发而引起入射光波长改变的入G01N21/63）[2006.01]
专利摘要：本发明涉及自旋极化载流子器件，该器件包括：载流子通道，包括非铁磁半导体，其中载流子在载流子通道中呈现自旋轨道耦合；与通道传导类型相反的半导体材料区域，用于与通道形成用于注入自旋极化载流子到通道一端的结；以及，至少一根连接到通道的导线，用于测量跨过通道的横向电压。
专利权项：一种器件，包括：载流子通道，包括非铁磁半导体材料，其中载流子在所述载流子通道中呈现自旋轨道耦合；与所述通道传导类型相反的半导体材料区域，用于与所述通道形成用于注入自旋极化载流子到所述通道一端的结；以及至少一根连接到所述通道的导线，用于测量跨过所述通道的横向电压。
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