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申请/专利权人：芝浦机械电子株式会社
申请日：2009-06-24
公开（公告）日：2011-05-11
公开（公告）号：CN102057464A
专利技术分类：..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜[2006.01]
专利摘要：一种自旋处理装置，对基板依次供给多种处理液而进行处理，具备：杯体1；旋转工作台8，设在杯体内，保持基板而被旋转驱动；处理液承接体16，呈上面开口的环状，可沿上下方向驱动地设在杯体的内周与旋转工作台的外周之间，承接从旋转的基板飞散的处理液；线性马达21，根据对基板供给的处理液的种类而将处理液承接体沿上下方向驱动，设定其高度；第1至第3分离流路27a～27c，设在杯体上，将处理液承接体承接的处理液对应于处理液承接体被线性马达设定的高度而分离回收。
专利权项：一种自旋处理装置，对基板依次供给多种处理液而进行处理，其特征在于，具备：杯体；旋转工作台，设在该杯体内，保持上述基板而被旋转驱动；处理液承接体，呈上面开口的环状，可沿上下方向驱动地设在上述杯体的内周与上述旋转工作台的外周之间，承接从旋转的上述基板飞散的上述处理液；上下驱动机构，对应于对上述基板供给的处理液的种类而将上述处理液承接体沿上下方向驱动，来设定其高度；以及分离回收机构，设在上述杯体上，将上述处理液承接体承接的处理液对应于该处理液承接体被上述上下驱动机构设定的高度而分离回收。
百度查询： 芝浦机械电子株式会社 自旋处理装置及自旋处理方法
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