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申请/专利权人：株式会社半导体能源研究所;石川岛播磨重工业株式会社
申请日：2001-12-26
公开（公告）日：2002-08-07
公开（公告）号：CN1362729A
专利技术分类：.....用于改善半导体材料性能的热处理，例如退火、烧结（H01L21/20至H01L21/288，H01L21/302至H01L21/322优先）[2006.01]
专利摘要：一种运行成本比传统装置低的激光辐照装置,以及使用该装置的激光辐照方法。其形成的晶粒大小与传统的同数量级或更大。半导体薄膜冷却速度更低,而且可以形成与用输出时间长的激光辐照半导体薄膜时所形成的颗粒大小同数量级或更大颗粒的晶粒。通过在用短输出时间的固态激光器作光源时,相对于另一个激光延迟一个激光,组合这些激光,并将其辐照在半导体薄膜上,可以实现这个效果。
专利权项：1.一种激光辐照装置，包括：脉冲发射固态激光器；将脉冲发射固态激光器所发出的激光分解成多个激光的装置；用于使该多个激光中至少一个激光到辐照表面的光路长度，不同于其他激光到该辐照表面的光路长度的装置；以及组合多个激光的装置。
百度查询： 株式会社半导体能源研究所 石川岛播磨重工业株式会社 激光辐照装置和激光辐照方法
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