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申请/专利权人：兰姆研究有限公司
申请日：2007-04-16
公开（公告）日：2007-10-24
公开（公告）号：CN101060080A
专利技术分类：.......绝缘层的刻蚀[2006.01]
专利摘要：本发明提供了在位于衬底上方但位于聚合物硬掩模下方的介电层中蚀刻特征的方法。衬底被置于等离子体加工室中。掩模特征被蚀刻到聚合物硬掩模中，并且非故意性地形成了颈部。在介电层蚀刻过程之前进行的等离子体处理过程可以选择性地蚀刻掉颈部。结果，在聚合物硬掩模中形成了无颈部的特征。通过所述无颈部聚合物硬掩模蚀刻到所述下面介电层中的特征具有直的轮廓。
专利权项：1、用于在位于衬底上方但被设置在聚合物硬掩模下面的介电层中蚀刻特征的方法，包括：将衬底置于等离子体加工室中；在聚合物硬掩模中蚀刻掩模特征，其中所述特征是没有颈部的，包括：在硬掩模中蚀刻具有颈部的掩模特征；和对所述掩模特征进行处理以选择性蚀刻掉所述颈部；和通过聚合物硬掩模将特征蚀刻到介电层中。
百度查询： 兰姆研究有限公司 控制掩模轮廓以控制特征轮廓
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