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申请/专利权人：松下电器产业株式会社
申请日：2004-06-14
公开（公告）日：2005-02-02
公开（公告）号：CN1574245A
专利技术分类：.......等离子腐蚀；活性离子腐蚀[2006.01]
专利摘要：提供一种终点检测方法，通过在硅氧化膜105A及多晶硅膜104上照射光，测定由来自这些膜的反射光所形成的干涉光。求出波长为600nm的干涉光强度与波长范围在400nm到800nm的干涉光强度的积分值之间的比。这样，由于可以从所测定的干涉光波形中除去硅氧化膜105A产生的干涉成分，可以算出在多晶硅膜104产生的干涉光波形。最后，根据所算出的干涉光波形求出多晶硅膜104的残留厚度，通过对该残留厚度与所需厚度进行比较，检测加工多晶硅膜104时的加工终点。这样，利用在被处理层上形成的掩模层能准确检测加工被处理层时的终点。
专利权项：1、一种终点检测方法，在利用在被处理层上形成的掩模层加工所述被处理层时使用，其特征在于，包括：通过在所述掩模层及所述被处理层的每一个上照射光，测定分别来自所述掩模层及所述被处理层的反射光所形成的干涉光的工序；从所述被测定的干涉光的波形中除去在所述掩模层产生的干涉成份，计算出在所述被处理层产生的干涉光波形的工序；和根据所述计算出的干涉光波形求出所述被处理层的残留厚度，通过比较该残留厚度与所需厚度，检测出加工所述被处理层的终点的工序。
百度查询： 松下电器产业株式会社 终点检测方法及终点检测装置
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