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申请/专利权人：硅电子股份公司
摘要：本发明提供一种通过Czochralski法制造不含位错的单晶硅的方法。根据本发明的方法的特征在于使用不包含平均粒径小于250μm的颗粒的硅作为熔化原料。
主权项：通过Czochralski法制造不含位错的单晶硅的方法，其特征在于包括在熔化之前去除包含在原料硅中的平均粒径小于250μm的颗粒的精细颗粒去除步骤。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 硅电子股份公司 通过Czochralski法制造不含位错的单晶硅的方法
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