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申请/专利权人：勒克斯维科技公司
申请日：2015-03-13
公开（公告）日：2015-09-30
公开（公告）号：CN204680685U
专利技术分类：..具有多个在半导体中集成的发光区，例如横向不连续发光层或光致发光区（H01L27/15优先）[2010.01]
专利摘要：本实用新型描述了一种纳米线器件和具有纳米线的结构，其中纳米线包括：基底层；多根纳米线，所述多根纳米线位于所述基底层的第一表面上并远离所述基底层的第一表面地突出；其中每根纳米线包括芯、壳、以及位于所述芯和所述壳之间的有源层；封装材料，所述封装材料侧向地围绕所述多根纳米线，使得所述多根纳米线嵌入在所述封装材料中；顶部电极层，所述顶部电极层位于所述基底层的与所述第一表面相对的第二表面上并且与每根纳米线的所述芯电接触；和底部电极层，所述底部电极层与每根纳米线的所述壳电接触。
专利权项：一种纳米线器件，其特征在于，包括：基底层；多根纳米线，所述多根纳米线位于所述基底层的第一表面上并远离所述基底层的第一表面地突出；其中每根纳米线包括芯、壳、以及位于所述芯和所述壳之间的有源层；封装材料，所述封装材料侧向地围绕所述多根纳米线，使得所述多根纳米线嵌入在所述封装材料中；顶部电极层，所述顶部电极层位于所述基底层的与所述第一表面相对的第二表面上并且与每根纳米线的所述芯电接触；和底部电极层，所述底部电极层与每根纳米线的所述壳电接触。
百度查询： 勒克斯维科技公司 纳米线器件和具有纳米线的结构
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