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申请/专利权人：恩特格里斯公司
申请日：2016-05-16
公开（公告）日：2018-03-06
公开（公告）号：CN107771353A
专利技术分类：.....用于改善半导体材料性能的热处理，例如退火、烧结（H01L21/20至H01L21/288，H01L21/302至H01L21/322优先）[2006.01]
专利摘要：本发明描述用于将气体递送到气体利用处理工具的气体供应系统及方法，所述气体利用处理工具例如是用于制造半导体产品、平板显示器、太阳能面板等的气体利用工具。所述气体供应系统可包括其中布置有基于吸附剂的气体供应罐及或内部压力调节式气体供应罐的气柜，且描述可安置于所述气柜中或以独立方式操作的气体混合歧管。在一个方面中，描述气体供应系统，其中在施配操作的压控终止之后，为了进行施配操作以实现在此终止之后所述罐中剩余的气体的利用，处理易于在涉及气体供应压力的减小时冷却的罐。
专利权项：一种气体供应系统，其包括：至少一个气体供应罐，其易于在涉及从所述罐施配的气体的压力减小的施配操作中冷却；监测系统，其经配置以检测压力减小到指示所述罐的排空的压力且终止所述罐的施配操作；及增温系统，其经配置以在所述罐的施配操作终止之后将所述罐增温，使得所述罐被增温到使得所述罐中的剩余气体的压力被增加到高于指示所述罐的排空的所述压力的程度，以借此使得能够重新开始所述罐的施配操作。
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