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生单色X-射线的X-射线源专利

发布时间:2019-03-08 12:32:27 来源:龙图腾网 导航: 龙图腾网> 最新专利技术> 生单色X-射线的X-射线源

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申请/专利权人:皇家飞利浦电子股份有限公司

申请日:2003-12-03

公开(公告)日:2006-01-18

公开(公告)号:CN1723526A

专利技术分类:...阳极;对阴极[2006.01]

专利摘要:本发明涉及一种X-射线源,其包括:用于发射电子E的电子源1、响应于入射的电子E而发射特有的、基本为单色X-射线C的靶4和外耦合X-射线的外耦合装置11。为了获得具有高功率负荷率的特有的、基本上单色的X-射线,电子在厚度小于10μm的金属箔5上入射并且放置基底装置7、12,其中所述金属箔5的金属具有能够产生X-射线C的高原子序数,并且基底装置7、12主要包括的材料具有不产生X-射线C的低原子序数。外耦合装置适于在电子E入射的金属箔5侧面上外耦合X-射线C,金属箔的该侧面与基底装置7、12的侧面相对,因为在该侧面上几乎没有轫致辐射产生。

专利权项:1、一种X-射线源,其包括:用于发射电子E的电子源1,响应于入射的电子E而发射特有的、基本为单色X-射线C的靶4,所述靶4包括厚度小于10μm的金属箔5和用于承载所述金属箔4的基底装置7、12,其中所述金属箔5的金属具有能够产生X-射线C的高原子序数,并且基底装置7、12主要包括的材料具有不产生X-射线C的低原子序数,和在金属箔5的侧面上外耦合X-射线C的外耦合装置11,在金属箔的该侧面上电子E入射,并且该侧面与基底装置7、12的侧面相对。

百度查询: 皇家飞利浦电子股份有限公司 生单色X-射线的X-射线源

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