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申请/专利权人：株式会社思可林集团
申请日：2016-07-06
公开（公告）日：2017-01-18
公开（公告）号：CN106340474A
专利技术分类：.专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置[2006.01]
专利摘要：本发明提供一种能够降低腔室内的污染的热处理装置以及热处理方法。在从卤素灯HL向在腔室6内被支座74保持的半导体晶片W的下表面照射光来进行预加热之后，从闪光灯FL向该半导体晶片W的上表面照射闪光来进行闪光加热。通过加热器22加热从气体供给源85供给的处理气体，然后向腔室6内供给。另外，通过流量调整阀21增加向腔室6内供给的处理气体的流量。通过向腔室6内大流量地供给高温的处理气体来形成其气流，能够将在加热处理时从半导体晶片W的膜扩散的污染物向腔室6外排出，从而降低腔室6内的污染。
专利权项：一种热处理装置，通过向基板照射光来对该基板进行加热，该热处理装置的特征在于，具有：腔室，用于容置基板；支座，在所述腔室内支撑基板；光照射部，向被所述支座支撑的基板照射光；气体供给部，向所述腔室内供给处理气体；气体加热部，对从所述气体供给部向所述腔室供给的所述处理气体进行加热。
百度查询： 株式会社思可林集团 热处理装置以及热处理方法
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